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IS61LPS25636A-200TQLI 发布时间 时间:2025/12/28 11:44:19 查看 阅读:33

IS61LPS25636A-200TQLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 生产的一款高速、低功耗的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片,采用先进的制造工艺,专为高性能系统应用设计。该器件具有 256K x 36 位的组织结构,总存储容量为 9 兆位(9 Mbit),适用于需要高带宽、低延迟数据存储的应用场景,如网络设备、通信基础设施、工业控制和高端嵌入式系统等。该芯片支持并行接口,具备快速访问时间,典型访问速度为 200 MHz 对应的 5 ns 访问周期,满足高速数据处理需求。器件工作电压为 1.8 V ±5%,属于低电压操作器件,有助于降低系统整体功耗,符合现代绿色电子产品的设计趋势。封装形式为 165-ball BGA(球栅阵列),尺寸紧凑,适合高密度 PCB 布局。IS61LPS25636A-200TQLI 支持商业级和工业级温度范围,其中后缀 'I' 表示其支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),确保在恶劣环境下的稳定运行。该器件还集成了多种低功耗模式,例如自动低功耗待机模式和深度掉电模式,可根据系统需求动态调整功耗状态,从而优化能效表现。此外,该 SRAM 具备优异的抗干扰能力和信号完整性设计,支持同步读写操作,并提供时钟使能、输出使能和片选控制等标准控制信号,便于与 FPGA、ASIC 或微处理器无缝对接。

参数

制造商:Integrated Silicon Solution Inc (ISSI)
  系列:IS61LPS
  产品类型:SRAM
  存储容量:9 Mbit
  组织结构:256K x 36
  工作电压:1.71V ~ 1.89V
  最大时钟频率:200 MHz
  访问时间:5 ns
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:165-ball BGA (15x17mm)
  接口类型:并行同步
  数据总线宽度:36 位
  供电电压:1.8V ±5%
  输入/输出兼容性:SSTL_18 或 HSTL
  封装引脚数:165
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

IS61LPS25636A-200TQLI 的核心特性之一是其高带宽和低延迟性能,能够支持高达 200 MHz 的时钟频率,在每个时钟周期内完成一次数据访问,实现每秒 200 百万次的传输速率,非常适合用于需要持续高速数据吞吐的应用场合,如路由器、交换机的数据包缓冲、图像处理缓存以及测试测量设备中的临时数据存储。该器件采用同步架构设计,所有输入和输出操作均与时钟边沿对齐,有效提升了系统的时序可控性和稳定性,减少了数据竞争和亚稳态风险。其 36 位数据总线宽度允许一次性传输更多数据,尤其适用于 32 位或更宽总线系统的字对齐访问,可显著提升数据搬运效率,减少总线占用时间。
  另一个关键特性是其低功耗设计。尽管具备高性能,但该器件通过精细的 CMOS 工艺优化和电路设计实现了极低的动态和静态功耗。在正常工作模式下,核心电流和 I/O 电流经过优化以适应 1.8V 低压供电;而在待机或非活动状态下,器件可通过片选(CE#)信号自动进入低功耗待机模式,大幅降低漏电流。此外,部分型号支持深度掉电(Deep Power-down)功能,可在长时间不使用时将功耗降至最低,延长系统电池寿命或减少散热负担。这种灵活的电源管理机制使其在便携式工业设备或远程通信节点中表现出色。
  该器件还具备出色的信号完整性和电气兼容性,支持 SSTL_18 或 HSTL 接口标准,确保在高速传输过程中保持良好的阻抗匹配和抗噪声能力。其封装采用 165-ball BGA,布局合理,电源和地引脚分布均匀,有助于降低电磁干扰(EMI)并提升热传导性能。工业级温度支持使其能够在极端环境下可靠运行,增强了系统鲁棒性。此外,ISSI 提供全面的技术支持和长期供货承诺,适用于需要长生命周期管理的工业和通信类产品设计。

应用

IS61LPS25636A-200TQLI 主要应用于对存储带宽和响应速度要求极高的系统中。广泛用于通信基础设施领域,如核心路由器、骨干网交换机和光传输设备,作为数据包缓冲区或查找表缓存,利用其大容量和高速特性提升网络吞吐能力。在工业自动化控制系统中,可用于实时数据采集模块、PLC 控制器或运动控制卡的高速中间缓存,确保控制指令和传感器数据的即时处理。此外,在测试与测量仪器中,例如高速示波器、逻辑分析仪和协议分析仪,该 SRAM 可作为采样数据的临时存储单元,支持高采样率下的连续数据流记录。广播与音视频设备,尤其是高清视频处理平台,也可利用其 36 位宽总线优势进行帧缓冲或图像预处理任务。FPGA 加速卡、嵌入式视觉系统以及雷达信号处理系统同样依赖此类高性能 SRAM 实现低延迟数据交换。由于其支持工业温度范围和高可靠性,也适用于户外基站、轨道交通控制系统和航空航天电子设备等严苛环境下的应用。

替代型号

[
   "IS61LPS25636A-200MBI",
   "IS61WPS25636A-200TQLI",
   "CY7C1365KV18-200BZC",
   "IDT71V424S100PFGI",
   "MTI QDRC25636A-200"
  ]

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IS61LPS25636A-200TQLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量9 Mbit
  • 组织256 K x 36
  • 访问时间3.1 ns
  • Supply Voltage - Max3.465 V
  • Supply Voltage - Min3.135 V
  • 最大工作电流275 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TQFP-100
  • 封装Tube
  • 接口TTL
  • 最大时钟频率200 MHz
  • 端口数量4
  • 工厂包装数量72
  • 类型Synchronous