您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS61LPS25636A-200B2I

IS61LPS25636A-200B2I 发布时间 时间:2025/12/28 17:42:48 查看 阅读:44

IS61LPS25636A-200B2I是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)设计制造的高速低功耗SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造,具有高性能、低功耗和宽温度范围的工作能力,适用于需要高速存储器的工业和通信应用。

参数

容量:256K x 36位
  速度等级:200MHz访问时间
  电源电压:1.7V - 3.6V(核心电压为1.8V)
  封装类型:225-ball BGA
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  数据宽度:36位并行
  访问时间:2.0ns(最大)
  功耗:典型工作电流低于100mA
  接口类型:标准异步SRAM接口
  封装尺寸:11mm x 13mm

特性

IS61LPS25636A-200B2I SRAM芯片采用了高性能的CMOS工艺,具有快速访问速度和低功耗特性,特别适用于对功耗和性能都有严格要求的嵌入式系统和工业设备。该芯片的工作频率可达200MHz,提供36位的数据宽度,支持高速数据读写操作。此外,该芯片支持1.7V至3.6V的宽电压范围,使其能够适应多种电源管理系统的设计需求,同时确保了在低电压条件下的稳定运行。
  该SRAM芯片还具有宽温度范围特性,能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内正常工作,适用于各种严苛的工业环境。其封装形式为225-ball BGA,体积小巧,适合高密度PCB布局。IS61LPS25636A-200B2I的异步控制接口设计兼容多种主控器,简化了系统设计的复杂性,并提高了系统的兼容性和可扩展性。
  为了确保系统的稳定性和数据的完整性,该芯片在设计上也考虑了抗干扰和稳定性优化,能够提供可靠的存储性能。此外,其低待机电流特性也使其非常适合电池供电或低功耗系统应用。

应用

IS61LPS25636A-200B2I广泛应用于各种高性能嵌入式系统、网络设备、工业自动化控制器、测试测量仪器、图像处理设备以及通信基础设施设备中。由于其高速存取能力和低功耗设计,该芯片也常用于FPGA缓存、实时数据缓冲、高速缓存存储器等场景。该芯片的工业级温度支持也使其适用于户外设备、车载系统以及工业控制面板等对环境适应性要求较高的应用场景。

替代型号

IS61LPS25636A-250B2I, IS64S16512A-8B2I, CY7C1370B-167BZXI

IS61LPS25636A-200B2I推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IS61LPS25636A-200B2I资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IS61LPS25636A-200B2I参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 封装Tray
  • 工厂包装数量84