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IS61LPS204818B-200B3L 发布时间 时间:2025/9/1 16:21:59 查看 阅读:9

IS61LPS204818B-200B3L是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗的SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该器件属于异步SRAM类别,具有较大的存储容量和较高的数据访问速度,适用于需要快速数据存取的高性能系统。IS61LPS204818B-200B3L采用先进的CMOS工艺制造,具备较高的可靠性和稳定性,广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络设备等领域。

参数

容量: 2Mbit (256K x 8/128K x 16)
  组织方式: x8/x16
  电源电压: 2.3V 至 3.6V
  访问时间: 200MHz
  工作温度: -40°C 至 +85°C
  封装形式: 54引脚 TSOP
  输入/输出电平: CMOS兼容

特性

IS61LPS204818B-200B3L具有多种高性能特性,首先是其高速访问能力,其访问时间仅为200MHz,能够满足对数据访问速度要求极高的应用场合。其次,该芯片采用了低功耗设计,在保持高性能的同时有效降低了功耗,适合对能效有较高要求的嵌入式系统和便携设备。
  该SRAM芯片支持x8或x16的组织方式,用户可以根据实际需求灵活配置数据总线宽度,从而提高系统的兼容性和适应性。此外,其工作电压范围为2.3V至3.6V,具备良好的电源适应能力,可以在多种电源条件下稳定运行。
  IS61LPS204818B-200B3L采用了先进的CMOS工艺,具备优异的抗干扰能力和稳定性,适用于工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),可在恶劣环境下可靠运行。封装形式为54引脚TSOP,体积小巧,便于集成于高密度PCB设计中。
  最后,该芯片的输入/输出电平均为CMOS兼容,能够轻松与其他CMOS器件连接,简化系统设计并提升整体性能。

应用

IS61LPS204818B-200B3L广泛应用于各种需要高速、低功耗存储的系统中。例如,在通信设备中,该芯片可用于缓存数据、存储临时计算结果或作为高速缓冲存储器使用,提高数据处理效率。在工业控制系统中,它可作为主控单元的外部存储器,用于存储实时数据或程序指令,确保系统的快速响应和稳定性。
  在网络设备中,IS61LPS204818B-200B3L可用于构建路由器、交换机等设备的数据缓冲区,以提升数据转发速度和处理能力。此外,该芯片也适用于测试测量仪器、嵌入式系统、图像处理设备等领域,为这些应用提供可靠的高速存储支持。
  由于其宽电压工作范围和工业级温度适应能力,IS61LPS204818B-200B3L也适用于户外设备和恶劣环境下的电子系统,如安防监控系统、智能交通设备等。其高稳定性和低功耗特性使其成为工业自动化、物联网设备等领域的理想选择。

替代型号

IS61LPS204818B-200B4L, CY7C1041GN30-200BZXC, IDT71V416S200B8YG

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IS61LPS204818B-200B3L参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格144 : ¥713.70250托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量36Mb
  • 存储器组织2M x 18
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间3.1 ns
  • 电压 - 供电3.135V ~ 3.465V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-TBGA
  • 供应商器件封装165-TFBGA(13x15)