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IS61LPS12836A 发布时间 时间:2025/12/28 18:47:12 查看 阅读:8

IS61LPS12836A 是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM),由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生产。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗的双重优势,适用于对速度和能效都有较高要求的应用场景。IS61LPS12836A 的存储容量为128K x 36位,属于异步SRAM类别,支持独立的字节使能(Byte Enable)功能,可实现对数据总线的灵活控制。该芯片广泛应用于网络设备、通信系统、工业控制、测试设备等高性能嵌入式系统中。

参数

供电电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns(最大)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:165-TQFP
  存储容量:128K x 36位
  数据宽度:36位
  字节使能:支持BHE、BLE
  输出使能:OE低电平有效
  写使能:WE低电平有效
  封装尺寸:24mm x 24mm
  功耗:典型值为100mA(待机模式下低于10mA)

特性

IS61LPS12836A 具备多项先进的技术特性,首先其高速访问时间(5.4ns)确保了在高频系统总线下仍能保持优异的性能表现,适用于实时数据处理和高速缓存应用。其次,该芯片采用了低功耗CMOS工艺,在保证高速操作的同时,显著降低了运行功耗,使其适用于对能效敏感的便携式或嵌入式系统。此外,该SRAM支持独立的字节使能信号(BHE和BLE),允许用户选择性地访问高/低字节,提高数据传输的灵活性。
  IS61LPS12836A 还具备宽电压工作范围(2.3V至3.6V),兼容多种电源管理方案,增强了系统设计的兼容性。芯片内部集成了输出使能(OE)和写使能(WE)控制信号,简化了外部控制器的接口设计。此外,其工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于各种严苛环境下的工业控制和通信设备。
  封装方面,IS61LPS12836A采用165-TQFP封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适用于自动化贴片生产线,便于集成到高密度PCB设计中。

应用

IS61LPS12836A 主要用于需要高速数据存取和大容量存储的系统,如网络路由器、交换机、通信基站、工业计算机、测试与测量设备、数据采集系统等。由于其高可靠性与宽温工作范围,该芯片也常用于工业自动化控制系统和车载电子设备中。在嵌入式系统中,IS61LPS12836A 可作为处理器的高速缓存或临时数据存储器,支持复杂算法的快速执行。此外,该SRAM还可用于图像处理、视频缓冲、实时控制系统等高性能应用场景。

替代型号

IS61LPS12836A-6T、IS61LPS12836A-7T、IS64LPS25636A

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