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IS61LPD51236A-250B3LI 发布时间 时间:2025/9/1 20:07:09 查看 阅读:7

IS61LPD51236A-250B3LI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的36位异步静态随机存取存储器(SRAM),属于高性能异步SRAM系列。该器件设计用于需要高速数据访问和低功耗应用的场景,例如网络设备、通信系统和工业控制设备。该SRAM的容量为512K x 36位,工作电压为2.3V至3.6V,支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于严苛环境下的稳定运行。

参数

容量:512K x 36位
  电压范围:2.3V - 3.6V
  访问时间:250MHz
  封装类型:165引脚 BGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  输入/输出电压兼容性:3.3V/2.5V/1.8V
  数据宽度:36位
  功耗:典型待机电流 < 10mA
  封装尺寸:14mm x 18mm

特性

IS61LPD51236A-250B3LI 的主要特性之一是其高速异步访问能力,访问时间低至250MHz,使得它非常适合用于高速缓存或实时数据处理系统。该器件采用低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长设备的电池寿命并减少散热问题。此外,该SRAM支持宽电压范围(2.3V至3.6V),增强了其在不同系统设计中的适应性,并且与多种逻辑电平兼容,包括1.8V、2.5V和3.3V,便于集成到不同电路环境中。
  这款SRAM采用165引脚BGA封装,提供紧凑的物理布局,适合空间受限的应用。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保其在极端温度条件下仍能可靠运行,适用于工业自动化、嵌入式系统和网络基础设施等应用场景。此外,该器件具备高抗干扰能力和良好的数据保持性能,确保在复杂电磁环境中数据的完整性和稳定性。

应用

IS61LPD51236A-250B3LI 广泛应用于需要高速存取和低功耗特性的系统,如路由器、交换机、无线基站、工业控制设备、测试测量仪器以及嵌入式计算平台。由于其36位数据宽度和高速特性,该SRAM特别适合用于大容量缓存、图形处理缓冲区以及高速数据队列存储。此外,该器件的工业级温度范围和高可靠性使其成为航空航天、汽车电子和智能交通系统等关键应用领域的理想选择。在嵌入式系统设计中,该SRAM可作为主存储器或高速缓冲存储器,用于提升系统响应速度和数据处理能力。

替代型号

IS61LPD51236B-250B3LI, CY7C1380C-250BZC, IDT71V416SA250BG

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IS61LPD51236A-250B3LI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量18 Mbit
  • 访问时间2.6 ns
  • Supply Voltage - Max3.465 V
  • Supply Voltage - Min3.135 V
  • 最大工作电流500 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体BGA
  • 封装Tray
  • 最大时钟频率250 MHz
  • 端口数量4
  • 工厂包装数量144
  • 类型Synchronous