时间：2025/9/1 20:07:09
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IS61LPD51236A-250B3LI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的36位异步静态随机存取存储器（SRAM），属于高性能异步SRAM系列。该器件设计用于需要高速数据访问和低功耗应用的场景，例如网络设备、通信系统和工业控制设备。该SRAM的容量为512K x 36位，工作电压为2.3V至3.6V，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于严苛环境下的稳定运行。
容量：512K x 36位
电压范围：2.3V - 3.6V
访问时间：250MHz
封装类型：165引脚 BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
输入/输出电压兼容性：3.3V/2.5V/1.8V
数据宽度：36位
功耗：典型待机电流 < 10mA
封装尺寸：14mm x 18mm
IS61LPD51236A-250B3LI 的主要特性之一是其高速异步访问能力，访问时间低至250MHz，使得它非常适合用于高速缓存或实时数据处理系统。该器件采用低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长设备的电池寿命并减少散热问题。此外，该SRAM支持宽电压范围（2.3V至3.6V），增强了其在不同系统设计中的适应性，并且与多种逻辑电平兼容，包括1.8V、2.5V和3.3V，便于集成到不同电路环境中。
这款SRAM采用165引脚BGA封装，提供紧凑的物理布局，适合空间受限的应用。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保其在极端温度条件下仍能可靠运行，适用于工业自动化、嵌入式系统和网络基础设施等应用场景。此外，该器件具备高抗干扰能力和良好的数据保持性能，确保在复杂电磁环境中数据的完整性和稳定性。
IS61LPD51236A-250B3LI 广泛应用于需要高速存取和低功耗特性的系统，如路由器、交换机、无线基站、工业控制设备、测试测量仪器以及嵌入式计算平台。由于其36位数据宽度和高速特性，该SRAM特别适合用于大容量缓存、图形处理缓冲区以及高速数据队列存储。此外，该器件的工业级温度范围和高可靠性使其成为航空航天、汽车电子和智能交通系统等关键应用领域的理想选择。在嵌入式系统设计中，该SRAM可作为主存储器或高速缓冲存储器，用于提升系统响应速度和数据处理能力。
IS61LPD51236B-250B3LI, CY7C1380C-250BZC, IDT71V416SA250BG
