时间：2025/12/28 17:51:37
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IS61LPD51236A-250B3 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的36位同步CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件设计用于高性能系统中的高速缓存、数据缓冲和其他关键存储应用。该SRAM采用同步接口，工作频率高达250MHz，适用于需要快速访问和低延迟的系统。IS61LPD51236A-250B3采用165引脚BGA封装，具备优异的电气性能和热稳定性，适用于工业级温度范围。
容量：18Mbit
组织结构：512K x 36
工作电压：2.3V - 3.6V
访问时间：250MHz
封装类型：165-ball BGA
温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：Synchronous
数据宽度：36位
最大访问时间：2.5ns
功耗：典型工作电流约120mA
IS61LPD51236A-250B3 SRAM芯片具备多项高性能特性。首先，其高速访问能力使其适用于高性能处理器缓存、网络设备、通信模块和工业控制设备。同步接口支持高速数据传输，同时降低时序复杂性，提高系统稳定性。该器件具有低功耗特性，在待机模式下电流极低，适合对能效要求较高的应用。
此外，该SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有良好的抗干扰能力和稳定性，确保在复杂电磁环境中仍能可靠运行。其BGA封装提供了优异的热管理和电气性能，适用于空间受限但要求高性能的电路设计。
IS61LPD51236A-250B3支持多种操作模式，包括深度掉电模式、自动省电模式等，以适应不同系统需求。其数据输出可配置为三态，便于系统集成。同时，该器件具备优异的抗静电能力（ESD）和高可靠性，符合工业级标准，适用于各种恶劣环境。
IS61LPD51236A-250B3 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和访问的系统中。常见应用包括路由器、交换机、网络处理器、FPGA开发板、工业控制设备、测试测量仪器以及嵌入式系统中的高速缓存。该器件也适用于需要高带宽和低延迟的图像处理、视频缓冲和实时控制系统。
IS61LPD51236A-250B3L, IS61LV51236A-250B3, CY7C1555V250BZC, IDT71V51236SA250BQG
