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IS61LF51236A-6.5B3-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:59:33 查看 阅读:31

IS61LF51236A-6.5B3-TR 是一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造。该器件具有512K x 36位的存储容量,适用于需要高速数据访问和高可靠性数据存储的应用场合。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问时间的特点,适合在通信、网络设备和工业控制系统中使用。

参数

容量:512K x 36位
  访问时间:6.5ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:BGA
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  工作模式:异步SRAM
  数据宽度:36位
  封装引脚数:165
  封装尺寸:14 x 18 mm
  最大工作频率:约150MHz
  功耗:典型值为200mA(待机模式下电流低至10mA)

特性

IS61LF51236A-6.5B3-TR 是一款高性能异步SRAM芯片,专为高速数据缓冲和临时存储设计。该芯片具有512K x 36位的存储容量,支持高速访问时间6.5ns,能够在高频应用中提供快速的数据响应能力。其采用3.3V电源供电,结合低功耗CMOS技术,能够在保持高性能的同时降低功耗,适合对功耗敏感的应用场景。
  该芯片采用165引脚BGA封装,体积小、引脚密度高,适用于高密度PCB布局设计。工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境条件下仍能稳定运行。此外,该SRAM支持异步模式,无需时钟信号控制,简化了电路设计,提高了系统的兼容性和灵活性。
  IS61LF51236A-6.5B3-TR 具有良好的抗干扰能力和稳定性,适用于长时间连续运行的系统。其高速数据访问能力和大容量存储特性,使其成为通信设备、网络交换器、工业控制器以及嵌入式系统中的理想选择。同时,该芯片的封装和电气特性符合RoHS环保标准,符合现代电子产品的绿色制造要求。

应用

IS61LF51236A-6.5B3-TR SRAM芯片广泛应用于需要高速数据缓存和可靠存储的系统中。例如,它可用于路由器和交换机的数据缓冲区,以提升数据转发效率;也可用于工业自动化控制系统中的临时数据存储和处理。此外,该芯片还适用于高端嵌入式系统、图像处理设备、测试测量仪器以及网络存储设备等应用场景。

替代型号

IS61LV51236A-6.5B3-TR, CY7C55536BZC-6.5B

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IS61LF51236A-6.5B3-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量18Mb
  • 存储器组织512K x 36
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间6.5 ns
  • 电压 - 供电3.135V ~ 3.465V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-TBGA
  • 供应商器件封装165-TFBGA(13x15)