时间：2025/9/1 16:28:31
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IS61DDB42M18-250M3是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件被设计用于高性能系统，如网络设备、通信设备、工业控制设备和高端计算设备。这款SRAM采用先进的制造工艺，提供高速访问时间和低功耗特性，适合对性能和稳定性要求较高的应用场景。IS61DDB42M18-250M3的封装形式为165-TSOP（Thin Small Outline Package），确保了良好的散热性能和空间效率。
类型：SRAM
容量：4M x 18位
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：2.5ns
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装：165-TSOP
引脚数：165
数据总线宽度：18位
时钟频率：最大频率为166MHz
功耗：典型待机电流为10mA
IS61DDB42M18-250M3 SRAM芯片具有多项关键特性，使其适用于各种高性能应用场景。首先，其高速访问时间为2.5ns，允许数据在极短的时间内被读取或写入，从而提高系统整体性能。其次，该芯片支持18位数据总线宽度，使其能够处理较宽的数据路径，非常适合用于需要高带宽的系统中。
此外，IS61DDB42M18-250M3支持宽电压范围（2.3V至3.6V），这使其能够兼容多种电源供应系统，增强了其在不同应用环境下的适应性。该器件的宽工作温度范围（-40°C至+85°C）也确保了其在恶劣环境条件下仍能稳定工作，适用于工业和车载应用。
该SRAM还具备低功耗特性，在待机模式下仅消耗约10mA的电流，有助于延长设备的电池寿命或降低整体能耗。同时，165-TSOP封装提供了良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于在空间受限的设计中使用。
最后，IS61DDB42M18-250M3采用了先进的CMOS工艺，具备高可靠性和抗干扰能力，可确保数据的稳定存储和高速传输。该芯片还支持异步操作模式，使得它能够灵活地与多种主控芯片（如FPGA、DSP和微处理器）配合使用。
IS61DDB42M18-250M3 SRAM广泛应用于需要高速数据存储和处理能力的电子系统中。例如，在网络设备中，它可以作为高速缓存存储器，用于临时存储和转发数据包，从而提升网络吞吐量和响应速度。在通信设备中，如基站和路由器，该芯片可以用于缓冲数据或存储临时运行指令，确保系统在高负载下仍能保持稳定运行。
在工业控制领域，IS61DDB42M18-250M3可用于高性能PLC（可编程逻辑控制器）和自动化系统，作为快速访问的临时存储单元，以提高控制系统的响应速度和处理能力。此外，在嵌入式系统和高端计算设备中，该芯片常用于与FPGA、DSP或ASIC配合使用，提供高速数据交换和存储功能。
由于其宽温度范围和高可靠性，该芯片也适用于汽车电子系统，如ADAS（高级驾驶辅助系统）和车载信息娱乐系统，确保在极端环境下的稳定运行。
IS61DDB42M18-250B1, IS61DDB42M18-250M3BLL, CY7C1513KV18-250BZC, IDT71V42M18SA-250B8GI
