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IS61DDB42M18-250M3 发布时间 时间:2025/9/1 16:28:31 查看 阅读:7

IS61DDB42M18-250M3是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件被设计用于高性能系统,如网络设备、通信设备、工业控制设备和高端计算设备。这款SRAM采用先进的制造工艺,提供高速访问时间和低功耗特性,适合对性能和稳定性要求较高的应用场景。IS61DDB42M18-250M3的封装形式为165-TSOP(Thin Small Outline Package),确保了良好的散热性能和空间效率。

参数

类型:SRAM
  容量:4M x 18位
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:2.5ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装:165-TSOP
  引脚数:165
  数据总线宽度:18位
  时钟频率:最大频率为166MHz
  功耗:典型待机电流为10mA

特性

IS61DDB42M18-250M3 SRAM芯片具有多项关键特性,使其适用于各种高性能应用场景。首先,其高速访问时间为2.5ns,允许数据在极短的时间内被读取或写入,从而提高系统整体性能。其次,该芯片支持18位数据总线宽度,使其能够处理较宽的数据路径,非常适合用于需要高带宽的系统中。
  此外,IS61DDB42M18-250M3支持宽电压范围(2.3V至3.6V),这使其能够兼容多种电源供应系统,增强了其在不同应用环境下的适应性。该器件的宽工作温度范围(-40°C至+85°C)也确保了其在恶劣环境条件下仍能稳定工作,适用于工业和车载应用。
  该SRAM还具备低功耗特性,在待机模式下仅消耗约10mA的电流,有助于延长设备的电池寿命或降低整体能耗。同时,165-TSOP封装提供了良好的散热性能和紧凑的尺寸,便于在空间受限的设计中使用。
  最后,IS61DDB42M18-250M3采用了先进的CMOS工艺,具备高可靠性和抗干扰能力,可确保数据的稳定存储和高速传输。该芯片还支持异步操作模式,使得它能够灵活地与多种主控芯片(如FPGA、DSP和微处理器)配合使用。

应用

IS61DDB42M18-250M3 SRAM广泛应用于需要高速数据存储和处理能力的电子系统中。例如,在网络设备中,它可以作为高速缓存存储器,用于临时存储和转发数据包,从而提升网络吞吐量和响应速度。在通信设备中,如基站和路由器,该芯片可以用于缓冲数据或存储临时运行指令,确保系统在高负载下仍能保持稳定运行。
  在工业控制领域,IS61DDB42M18-250M3可用于高性能PLC(可编程逻辑控制器)和自动化系统,作为快速访问的临时存储单元,以提高控制系统的响应速度和处理能力。此外,在嵌入式系统和高端计算设备中,该芯片常用于与FPGA、DSP或ASIC配合使用,提供高速数据交换和存储功能。
  由于其宽温度范围和高可靠性,该芯片也适用于汽车电子系统,如ADAS(高级驾驶辅助系统)和车载信息娱乐系统,确保在极端环境下的稳定运行。

替代型号

IS61DDB42M18-250B1, IS61DDB42M18-250M3BLL, CY7C1513KV18-250BZC, IDT71V42M18SA-250B8GI

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IS61DDB42M18-250M3产品

IS61DDB42M18-250M3参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量36 Mbit
  • 组织2 M x 18
  • 访问时间4 ns
  • Supply Voltage - Max1.9 V
  • Supply Voltage - Min1.7 V
  • 最大工作电流550 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体BGA-165
  • 封装Tray
  • 接口LVTTL
  • 最大时钟频率250 MHz
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量105
  • 类型Synchronous