时间：2025/9/1 17:24:01
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IS61DDB22M18-250M3 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该型号属于同步双端口SRAM（SyncBurst SRAM）系列，具有高性能的同步接口，适用于需要高速数据访问和低延迟的应用场景。该SRAM芯片采用18位数据宽度，容量为2M x 18位，工作频率高达166MHz，提供快速的数据传输速率。
容量：2M x 18位
数据宽度：18位
工作电压：3.3V
访问时间：250ps
工作频率：最高166MHz
封装类型：165-FBGA
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：同步
时钟频率：166MHz
数据速率：166MHz
IS61DDB22M18-250M3 是一款高性能的同步双端口SRAM芯片，具备出色的访问速度和低功耗特性。其250ps的访问时间使其能够在高速系统中实现快速数据读写。该器件支持同步操作，确保数据在时钟上升沿进行准确传输，适用于需要高带宽和低延迟的系统应用。此外，该芯片采用先进的CMOS工艺制造，降低了功耗并提高了稳定性。
这款SRAM芯片内置两个独立的端口，允许两个不同的控制器同时访问存储器，从而提高了系统的并发处理能力。其同步突发模式支持突发长度为1或2，进一步优化了数据传输效率。封装采用165-FBGA形式，节省空间并提高散热性能，适用于工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在各种环境下稳定运行。
IS61DDB22M18-250M3 支持多种控制信号，包括同步地址锁存使能（ADSP、ADSC）、写使能（WE）、输出使能（OE）等，提供了灵活的接口控制能力。该芯片还支持自动刷新和异步复位功能，提高了系统的可靠性和稳定性。
IS61DDB22M18-250M3 适用于对存储器性能要求较高的应用场合，例如网络设备、通信系统、工业控制、图像处理设备、高速缓存存储系统等。由于其双端口架构和高速同步接口，该芯片特别适合用于多处理器系统、路由器缓存、交换机数据缓冲、实时控制系统以及嵌入式系统中的高速数据存储与交换场景。
IS61DDB22M18-250B1, IS61DDB22M18-250M1, CY7C1380D-250BZC, IDT70V09S133B8GI
