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IS61DDB22M18-250M3 发布时间 时间:2025/9/1 17:24:01 查看 阅读:5

IS61DDB22M18-250M3 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该型号属于同步双端口SRAM(SyncBurst SRAM)系列,具有高性能的同步接口,适用于需要高速数据访问和低延迟的应用场景。该SRAM芯片采用18位数据宽度,容量为2M x 18位,工作频率高达166MHz,提供快速的数据传输速率。

参数

容量:2M x 18位
  数据宽度:18位
  工作电压:3.3V
  访问时间:250ps
  工作频率:最高166MHz
  封装类型:165-FBGA
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:同步
  时钟频率:166MHz
  数据速率:166MHz
  

特性

IS61DDB22M18-250M3 是一款高性能的同步双端口SRAM芯片,具备出色的访问速度和低功耗特性。其250ps的访问时间使其能够在高速系统中实现快速数据读写。该器件支持同步操作,确保数据在时钟上升沿进行准确传输,适用于需要高带宽和低延迟的系统应用。此外,该芯片采用先进的CMOS工艺制造,降低了功耗并提高了稳定性。
  这款SRAM芯片内置两个独立的端口,允许两个不同的控制器同时访问存储器,从而提高了系统的并发处理能力。其同步突发模式支持突发长度为1或2,进一步优化了数据传输效率。封装采用165-FBGA形式,节省空间并提高散热性能,适用于工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C),确保在各种环境下稳定运行。
  IS61DDB22M18-250M3 支持多种控制信号,包括同步地址锁存使能(ADSP、ADSC)、写使能(WE)、输出使能(OE)等,提供了灵活的接口控制能力。该芯片还支持自动刷新和异步复位功能,提高了系统的可靠性和稳定性。

应用

IS61DDB22M18-250M3 适用于对存储器性能要求较高的应用场合,例如网络设备、通信系统、工业控制、图像处理设备、高速缓存存储系统等。由于其双端口架构和高速同步接口,该芯片特别适合用于多处理器系统、路由器缓存、交换机数据缓冲、实时控制系统以及嵌入式系统中的高速数据存储与交换场景。

替代型号

IS61DDB22M18-250B1, IS61DDB22M18-250M1, CY7C1380D-250BZC, IDT70V09S133B8GI

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IS61DDB22M18-250M3参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量36 Mbit
  • 组织2 M x 18
  • 访问时间4 ns
  • Supply Voltage - Max1.89 V
  • Supply Voltage - Min1.71 V
  • 最大工作电流550 mA
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体BGA-165
  • 封装Tray
  • 接口LVTTL
  • 最大时钟频率250 MHz
  • 端口数量2
  • 工厂包装数量105
  • 类型Synchronous