IS61C64B-10T 时间：2025/12/28 18:09:46 阅读：8

IS61C64B-10T是一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造。该器件具有高速访问时间和低功耗特性，适用于需要快速数据存取的应用场合。该芯片采用CMOS工艺制造，提供高速的读写操作，工作电压为5V，封装形式为TSSOP（Thin Small Outline Package），适合工业级和商业级应用。

参数

容量：64K x 8位
　　组织结构：64KB SRAM
　　访问时间：10ns
　　工作电压：5V ± 10%
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装类型：TSSOP
　　引脚数：52
　　接口类型：异步
　　功耗：典型工作电流约120mA
　　最大读取电流：约180mA
　　最大写入电流：约200mA
　　数据保持电压：2V
　　数据保持电流：典型5mA

特性

IS61C64B-10T SRAM芯片具备高速访问能力，其最大访问时间为10ns，这意味着它能够在极短的时间内完成数据的读取和写入操作，非常适合需要高性能存储的应用。该芯片的功耗相对较低，在高速工作状态下也能保持较好的能效表现。CMOS工艺使其具有较高的抗干扰能力和稳定性。
　　该芯片支持异步操作，不需要时钟信号即可进行读写操作，这使得其接口设计相对简单，适用于多种嵌入式系统和控制器接口。工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），确保其在各种环境条件下都能稳定运行。
　　此外，IS61C64B-10T具备数据保持功能，在供电电压下降到2V以下时仍可保持数据不变，适合用于需要在低功耗状态下维持数据完整性的系统。其TSSOP封装形式有助于节省PCB空间，适合高密度电路设计。芯片内部具有自动数据保持控制电路，可在掉电模式下自动进入低功耗状态，进一步降低功耗。

应用

IS61C64B-10T SRAM芯片广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的电子系统中。典型应用包括网络设备、工业控制系统、测试测量仪器、嵌入式处理器系统、通信模块以及图像处理设备等。由于其高速性和低功耗特性，它常被用作微控制器（MCU）、数字信号处理器（DSP）或现场可编程门阵列（FPGA）的外部高速缓存存储器。
　　在嵌入式系统中，IS61C64B-10T可用于存储临时数据、缓冲区、查找表或程序变量，提供比片上存储器更大的容量。在工业自动化设备中，它可用于高速数据采集和实时控制任务中的数据暂存。在网络和通信设备中，该芯片可用于数据包缓存和协议处理。此外，该芯片也可用于需要快速数据访问的消费类电子产品，如打印机、扫描仪和高级家用电器。