时间：2025/12/28 18:18:53
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IS61C256AL12JLI 是一个高速的256K位静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造。该芯片采用高性能CMOS技术制造，具有低功耗和高速访问时间的特点，适用于需要高性能存储器的嵌入式系统、网络设备和通信设备。IS61C256AL12JLI 的存储容量为256K位，组织形式为32K x 8（即32,768个地址，每个地址存储8位数据），并采用标准的异步SRAM接口。
容量：256Kbit
组织形式：32K x 8
访问时间：12ns
电源电压：3.3V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
数据总线宽度：8位
封装引脚数：54
工作模式：异步
功耗：典型值为100mA（待机模式下为10mA）
IS61C256AL12JLI 采用高性能CMOS工艺制造，具备高速访问能力，访问时间低至12ns，适合需要快速数据存取的应用场景。该芯片支持异步操作，能够与多种主控设备（如微控制器、FPGA和ASIC）无缝对接。其电源电压为3.3V，具有较低的功耗，且在待机模式下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。
该SRAM芯片采用TSOP（薄型小外形封装）封装，具有较小的封装体积和良好的散热性能，适用于紧凑型电子设备的设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级环境要求，确保在各种恶劣条件下仍能稳定运行。
此外，IS61C256AL12JLI具有高可靠性和长寿命，适用于需要长期稳定运行的工业控制、通信设备和消费类电子产品。其标准的地址和数据接口简化了硬件设计，缩短了开发周期，并降低了系统集成的难度。
IS61C256AL12JLI 适用于多种嵌入式系统和高性能数据存储应用，如工业控制设备、通信模块、网络交换设备、消费类电子产品以及测试测量仪器。该芯片常用于需要快速数据缓存或临时存储的场合，例如图像处理、数据缓冲、协议转换和高速数据采集系统。由于其异步接口特性和低功耗设计，IS61C256AL12JLI也广泛应用于便携式设备、物联网节点和边缘计算设备中。
IS61C256AL12BLLI, CY62148EVLL, IDT71V416SA12B
