时间：2025/12/28 18:33:28
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IS61C256AL-12TL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有256K位的存储容量，组织方式为32K x 8位，适用于需要高速存储访问的应用场合。该芯片采用CMOS工艺制造，具备低功耗和高可靠性等特点。IS61C256AL-12TL 采用55nm工艺节点，具有较高的集成度和稳定性。
类型：静态RAM（SRAM）
容量：256K位（32K x 8）
访问时间：12ns
电源电压：2.3V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
数据总线宽度：8位
封装尺寸：8mm x 14mm
封装代码：TSOP-II
封装材料：塑料
封装形式：表面贴装
IS61C256AL-12TL 的核心优势在于其高速访问时间和宽电压工作范围，适用于工业级和商业级应用场景。该芯片采用高性能CMOS技术，使得其在高速工作时仍能保持较低的功耗。此外，该器件具备优异的抗干扰能力和稳定性，适合在复杂电磁环境中使用。其高速12ns访问时间使其适用于高速缓存、网络设备、工业控制、通信设备等对响应时间要求较高的系统中。该芯片的封装设计符合RoHS标准，适用于环保要求较高的电子产品。
IS61C256AL-12TL 还具备自动低功耗模式，在没有读写操作时自动进入待机状态以降低功耗。其地址和数据引脚具有静电放电（ESD）保护功能，增强了芯片的可靠性。此外，该器件具有宽泛的电源电压范围（2.3V至3.6V），适应不同电源设计需求，提高了系统的兼容性和灵活性。
IS61C256AL-12TL 主要用于需要高速存储访问的系统中，如工业控制设备、通信设备、网络路由器、嵌入式系统、测试仪器、视频游戏机、医疗设备和汽车电子系统。该芯片适用于作为高速缓存存储器、数据缓冲存储器或程序存储器使用。在通信设备中，该芯片可作为数据包缓存使用，提高数据处理效率。在嵌入式系统中，IS61C256AL-12TL 可作为主存储器或辅助存储器，提供快速的数据存取能力。此外，该芯片也广泛应用于需要高可靠性和工业级温度范围的自动化控制系统中。
IS61C256A-12TLLI, CY62157EV30LL-12B4XCT, IDT71V124SA12PFG, AS7C3256AL-12TC, IS64C256AL12TQ
