IS61C256AH-20N 时间：2025/8/18 22:54:21 阅读：19

IS61C256AH-20N是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为256Kbit（32K x 8）。该芯片采用高速CMOS工艺制造，适用于需要高速数据存取和低功耗的应用场景。IS61C256AH-20N采用标准的异步SRAM接口，具有较高的可靠性和稳定性。

参数

容量：256Kbit (32K x 8)
　　组织方式：x8
　　电源电压：5V
　　访问时间：20ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装类型：28引脚TSOP
　　接口类型：异步
　　输入/输出电压：兼容TTL
　　功耗：典型工作电流约120mA

特性

IS61C256AH-20N是一款高性能SRAM芯片，其主要特性包括高速访问时间（20ns）和低功耗设计。该芯片采用CMOS工艺制造，具有优异的噪声抑制能力和稳定性，适合在恶劣工业环境下使用。其28引脚TSOP封装形式节省了PCB空间，并提高了系统的集成度。
　　该芯片支持异步操作，适用于多种存储器控制架构。其TTL兼容输入/输出接口简化了与微控制器、FPGA和其他数字系统的连接。此外，IS61C256AH-20N具有宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C），适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等应用场景。
　　在功耗方面，IS61C256AH-20N在典型工作条件下电流约为120mA，待机模式下功耗显著降低，适用于对功耗有一定要求的设计。该芯片还具备高抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。

应用

IS61C256AH-20N广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的场景。其典型应用包括工业自动化控制系统、通信设备（如路由器、交换机）、网络设备、嵌入式系统和测试测量仪器。由于其高速存取能力和良好的稳定性，该芯片也可用于图像处理、数据缓冲和高速缓存存储等场景。
　　在嵌入式系统中，IS61C256AH-20N可以作为主控芯片的外部数据存储器使用，提升系统运行效率。在工业控制设备中，它可以用于存储实时数据和程序变量。此外，该芯片还可用于数据采集系统，用于临时存储传感器采集的数据，便于后续处理和分析。
　　在通信设备中，IS61C256AH-20N可以作为高速缓存存储器，用于数据包的临时存储和转发，提高数据传输效率。在测试测量设备中，该芯片可用于存储测试数据和校准参数，确保设备的精确性和稳定性。