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IS61C12816-12TI 发布时间 时间:2025/12/28 18:00:50 查看 阅读:27

IS61C12816-12TI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,具有128K x 16位的存储容量。该芯片采用高速CMOS工艺制造,适用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块等应用场合。IS61C12816-12TI封装为128引脚TQFP,支持异步操作,具备非易失性存储特性,无需刷新操作即可保持数据。该器件广泛用于数据缓存、帧缓冲、高速缓冲存储器等场景。

参数

容量:128K x 16位
  访问时间:12ns
  封装类型:128-TQFP
  电源电压:3.3V
  工作温度:-40°C至+85°C
  最大工作频率:约83MHz(基于访问时间计算)
  数据宽度:16位
  引脚数:128
  接口类型:异步
  功耗:典型值约200mA(待机模式下低至10mA)
  读写模式:异步读/写操作
  地址线数量:17条(A0-A16)
  数据线数量:16条(D0-D15)
  控制信号:CE(片选)、OE(输出使能)、WE(写使能)

特性

IS61C12816-12TI具备多项高性能特性。首先,其高速访问时间为12ns,使得该芯片适用于对响应时间要求较高的系统设计。该芯片支持16位并行数据接口,提高了数据传输效率。其采用的高速CMOS技术不仅提高了性能,还降低了功耗,在待机模式下电流可降至10mA以下,非常适合对能效敏感的应用场景。
  IS61C12816-12TI支持异步操作,无需外部时钟信号即可进行读写操作,简化了控制器的设计和电路连接。此外,该芯片支持全地址解码,提供17位地址线,可寻址全部128K x 16位存储空间,确保数据的完整性和可访问性。
  在控制信号方面,IS61C12816-12TI提供了CE(片选)、OE(输出使能)和WE(写使能)三个主要控制引脚,允许灵活地控制数据的读取和写入过程。其三态输出设计也便于在共享总线系统中使用,多个设备可共用同一组数据线,提高系统的扩展性。
  该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级温度要求,适用于各种严苛环境下的应用。其128-TQFP封装形式不仅体积小,而且便于贴片安装,适用于高密度PCB布局。

应用

IS61C12816-12TI适用于多种需要高速存储和低功耗的电子系统。例如,在嵌入式系统中,它可用作程序存储器或数据缓存,用于提升系统的响应速度和处理能力。在工业控制领域,该芯片可作为高速数据缓冲器,用于暂存传感器数据或控制指令。在通信设备中,IS61C12816-12TI可用于帧缓存、协议转换和数据包处理等应用。
  此外,该芯片也广泛应用于网络设备、图像处理模块、视频采集系统、测试测量仪器以及汽车电子系统中。由于其异步接口设计和低功耗特性,也非常适合用于手持设备、便携式仪表和智能卡终端等低功耗应用场景。

替代型号

IS61C12816-10TI, CY62148EVLL-45ZSXI, IDT71V128SA12PFG, IS64WV12816EBLL-6BLI

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