IS61C1024-12N 时间：2025/12/28 18:02:59 阅读：9

IS61C1024-12N 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速异步静态随机存取存储器（Static RAM，SRAM）芯片。该芯片具有1Mbit的存储容量，采用512K x 2的组织方式，广泛应用于需要高速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备中。

参数

容量：1Mbit
　　组织方式：512K x 2
　　电源电压：3.3V 或 5V（根据型号）
　　访问时间：12ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：28引脚 SSOP 或 PLCC

特性

IS61C1024-12N SRAM芯片具备高速访问能力，访问时间仅为12纳秒，适用于对时间敏感的应用场景。该芯片支持3.3V或5V电源电压，提供了良好的兼容性，可以在不同电压系统中使用。
　　其异步操作模式使得芯片在没有时钟信号的情况下仍能高效工作，适合用于缓存、数据缓冲器和临时存储器等用途。此外，IS61C1024-12N采用了低功耗设计，在待机模式下功耗极低，有助于延长设备的使用寿命并降低能耗。
　　该芯片的封装形式包括28引脚SSOP和PLCC，便于在不同电路板设计中进行安装和焊接。其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），确保在各种恶劣环境下都能稳定运行。