时间：2025/12/28 18:20:41
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IS61C1024-10T是一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造。该器件具有1Mbit的存储容量，组织方式为128K x 8位。IS61C1024-10T采用了高速CMOS技术，具有低功耗和高性能的特点，适用于各种需要高速存储器的电子设备。
容量：1Mbit
组织结构：128K x 8位
访问时间：10ns
电源电压：3.3V
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装类型：TSOP
引脚数：54
最大工作频率：100MHz
数据保持电压：2V
输入/输出逻辑电平：CMOS兼容
IS61C1024-10T采用了先进的CMOS工艺，提供了高速访问时间和低功耗操作的双重优势。其访问时间为10ns，使得该芯片适用于需要快速数据存取的应用场景。此外，该SRAM芯片的电源电压为3.3V，兼容现代低电压系统设计，有助于降低系统功耗。IS61C1024-10T的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），确保其在恶劣环境下的稳定运行。该芯片的TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用，并提高封装密度。此外，其输入/输出引脚兼容CMOS逻辑电平，方便与各种控制器和处理器进行连接。IS61C1024-10T还具备数据保持功能，在电源电压下降至2V时仍能保持存储数据不丢失，适合用于需要临时数据保存的场合。
IS61C1024-10T广泛应用于需要高速存储器的电子设备中，如通信设备、工业控制系统、网络设备、测试仪器和嵌入式系统。由于其高速访问时间和低功耗特性，该芯片也常用于缓存、缓冲存储器和高速数据缓冲等应用场景。此外，IS61C1024-10T在图像处理、实时控制系统和数据采集系统中也有广泛应用。
IS61C1024-12T, CY62148EV30LL, AS7C31026C
