IS61C1024-10N 时间：2025/12/28 18:20:58 阅读：14

IS61C1024-10N是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用CMOS技术制造，提供高速访问时间和低功耗特性，适用于需要快速数据存取的系统。IS61C1024-10N的存储容量为1Mbit（128K x 8），采用标准异步SRAM架构，广泛用于通信设备、工业控制、网络设备和嵌入式系统等领域。

参数

容量：1Mbit（128K x 8）
　　组织结构：128K x 8
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：10ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数量：54
　　数据保持电压：2V
　　最大功耗：典型值180mA（工作模式）
　　待机电流：最大10mA

特性

IS61C1024-10N具有多项先进的性能特性，首先是其高速访问能力，10ns的访问时间使得该芯片适用于高性能系统中的高速缓存或临时数据存储。该器件采用CMOS技术，具有低功耗的特点，在待机模式下的电流消耗极低，有助于延长设备的电池寿命并减少系统散热需求。此外，该SRAM支持宽温度范围（-40°C至+85°C），适合在恶劣工业环境中稳定运行。其54引脚TSOP封装设计不仅节省空间，还便于PCB布局与自动化组装。IS61C1024-10N还具备数据保持功能，在电源电压下降至2V时仍能保持数据完整性，确保系统在低电压状态下的可靠性。该芯片还具有高抗干扰能力，适用于电磁环境复杂的应用场景。
　　此外，该SRAM芯片具备异步控制信号，支持与多种微处理器和控制器的兼容接口，便于系统集成。其设计符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品制造。IS61C1024-10N在性能、功耗和稳定性之间取得了良好的平衡，是一款适用于多种工业及通信应用的高性能SRAM解决方案。

应用

IS61C1024-10N主要应用于需要高速数据存取和稳定性能的电子系统中。其典型应用包括网络路由器和交换机中的数据缓冲、工业控制设备的临时数据存储、嵌入式系统的高速缓存、测试测量仪器中的数据采集与处理、通信模块的数据暂存、图像处理设备的帧缓存等。由于其低功耗和高可靠性，IS61C1024-10N也常用于便携式设备和远程监控设备中的内存扩展模块。此外，在需要快速响应和高数据吞吐量的汽车电子系统（如车载信息娱乐系统和ADAS模块）中也有广泛应用。