时间：2025/9/1 8:41:19
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IS49RL18320-125EBL 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片具有18位宽度的数据接口，容量为320K x 18，工作电压为3.3V。IS49RL18320-125EBL 设计用于高性能计算、网络设备和通信系统等对速度和稳定性要求较高的应用场合。
容量：320K x 18
工作电压：3.3V
访问时间：125MHz
封装类型：TSOP
数据宽度：18位
工作温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
封装尺寸：54引脚
IS49RL18320-125EBL 的主要特性之一是其高速异步操作能力，支持快速的数据读取和写入，访问时间仅为125MHz，这使得该芯片非常适合用于缓存和高速缓冲存储器应用。
此外，该SRAM芯片采用低功耗设计，在保持高性能的同时也确保了能效，非常适合对功耗敏感的应用场景。芯片的3.3V供电电压使其兼容多种现代逻辑接口标准，降低了系统设计的复杂性。
该芯片还具有良好的抗干扰能力和稳定性，能够在工业级温度范围内可靠工作，适用于严苛环境下的设备。
封装形式为54引脚TSOP，便于在高密度PCB设计中使用，同时有助于降低电磁干扰（EMI）并提高信号完整性。
IS49RL18320-125EBL 常用于高性能嵌入式系统、路由器和交换机等通信设备、工业控制设备、图像处理系统以及需要高速缓存的计算平台。由于其18位数据宽度，它也适合用于需要额外奇偶校验位的数据存储系统中，为系统提供稳定可靠的数据存储解决方案。
IS49RL18320-125EBLLF, IS49RL18320-125BGL, CY7C18320AV40, IDT71V18320SA
