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IS49NLS18160-25WBLI 发布时间 时间:2025/12/28 17:54:29 查看 阅读:31

IS49NLS18160-25WBLI 是一颗由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速异步SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该芯片具有高性能和低功耗的特点,适用于需要高速数据存储和访问的应用场景。该器件采用CMOS工艺制造,具备可靠性和稳定性,广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络设备和嵌入式系统等领域。

参数

容量:256K x 16位
  组织方式:256K x 16
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:25ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  数据总线宽度:16位
  封装尺寸:标准TSOP
  最大工作频率:约40MHz
  功耗(典型值):待机模式下低功耗设计

特性

IS49NLS18160-25WBLI 具备多种优异特性,确保其在复杂环境下的稳定运行。首先,其高速访问时间为25ns,支持高达40MHz的工作频率,能够满足高速数据读写需求。其次,该芯片采用低功耗CMOS技术,在待机模式下功耗极低,适用于对能耗敏感的应用场景。此外,其宽电源电压范围(2.3V 至 3.6V)使其能够兼容多种供电系统,增强了设计的灵活性。该芯片还具有高可靠性,可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行,适用于各种恶劣工作环境。
  在封装方面,IS49NLS18160-25WBLI 采用54引脚TSOP封装,体积小巧,便于PCB布局,同时提升了抗干扰能力。此外,该器件支持异步操作,无需外部时钟信号即可进行数据存取,简化了系统设计。该芯片还具备优异的抗静电能力和抗干扰性能,确保长期运行的稳定性。
  综合来看,IS49NLS18160-25WBLI 是一款性能优越、可靠性高、适用范围广的SRAM芯片,适用于多种工业和通信应用。

应用

IS49NLS18160-25WBLI 主要应用于需要高速存储和低功耗的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络路由器、交换机、视频处理设备以及测试测量仪器。在工业自动化控制系统中,该芯片可用于临时存储传感器数据和控制参数,实现快速响应。在网络通信设备中,IS49NLS18160-25WBLI 可用于缓存数据包,提高数据传输效率。此外,该芯片也适用于医疗设备、智能仪表、图像处理系统等需要高速存储支持的场景。

替代型号

IS49NLS18160-25DBLI, CY7C1041GN30, IDT71V124SA, IS61LV25616

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IS49NLS18160-25WBLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术RLDRAM 2
  • 存储容量288Mb
  • 存储器组织16M x 18
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳144-TFBGA
  • 供应商器件封装144-TWBGA(11x18.5)