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IS49NLC96400-25BI 发布时间 时间:2025/12/28 17:30:58 查看 阅读:39

IS49NLC96400-25BI是一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产。该芯片属于高速异步SRAM类别,适用于需要快速数据存取的应用场景。其容量为9Mb(512K x 18),采用高性能CMOS技术制造,提供低功耗和高可靠性的特点。

参数

类型:静态随机存取存储器(SRAM)
  容量:9Mb(512K x 18)
  电源电压:3.3V
  访问时间:25ns
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口类型:并行异步接口
  封装尺寸:12mm x 20mm
  封装厚度:1.2mm最大
  JEDEC标准兼容:是

特性

IS49NLC96400-25BI SRAM芯片具备多项优异特性,确保其在各种高速数据存储应用中的稳定性和高效性。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,提供低功耗运行模式,支持待机和深度待机模式,以适应不同的电源管理需求。其高速访问时间为25ns,能够满足高速缓存、网络设备和通信系统等对响应时间要求较高的场景。该芯片的异步控制信号(如CE、OE、WE)提供了灵活的读写控制方式,使其易于集成到多种系统架构中。
  此外,该芯片采用TSOP封装,具有良好的散热性能和较小的PCB占位面积,适合高密度电路设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级和车载电子应用环境。芯片内部采用抗干扰设计,确保在复杂电磁环境下依然具有良好的数据稳定性和可靠性。IS49NLC96400-25BI还符合RoHS环保标准,适用于无铅工艺制造流程。

应用

IS49NLC96400-25BI SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和频繁访问的电子系统中。常见应用包括网络交换机和路由器的缓存系统、工业控制设备的数据缓冲、通信设备的临时存储单元、医疗成像设备中的高速图像处理模块、车载电子系统中的实时数据处理单元,以及测试与测量仪器中的临时数据存储单元。此外,该芯片还可用于高速数据采集系统、嵌入式系统的本地缓存以及需要快速响应的实时控制系统。

替代型号

IS49NLC96400-25BLL, IS49NLC96400-25BFT, CY7C1395B-25BVXI, IDT71V4161816B-25B

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IS49NLC96400-25BI参数

  • 制造商ISSI
  • 数据总线宽度9 bit
  • 组织64 Mbit x 9
  • 封装 / 箱体BGA-144
  • 存储容量576 Mbit
  • 最大时钟频率400 MHz
  • 访问时间2.5 ns
  • Supply Voltage - Max1.9 V
  • Supply Voltage - Min1.7 V
  • 最大工作电流408 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量104