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IS49NLC93200-33WBLI 发布时间 时间:2025/12/28 17:47:49 查看 阅读:34

IS49NLC93200-33WBLI 是 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)推出的一款高性能、低功耗异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件设计用于需要高速数据访问和低功耗操作的应用场合,广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备以及嵌入式系统等领域。IS49NLC93200-33WBLI 是一款 9MB(512K x 18)的SRAM芯片,支持异步操作,具备高速访问时间和低功耗待机模式。其封装形式为小型TSOP(Thin Small Outline Package),适用于空间受限的电路设计。

参数

容量:9MB(512K x 18)
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间:33ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP-II
  引脚数:54
  组织结构:x18
  最大工作频率:约10MHz(基于访问时间)
  功耗:典型待机电流小于10mA
  接口类型:异步
  数据保持电压:1.5V(最小)

特性

IS49NLC93200-33WBLI 是一款高性能、低功耗的异步SRAM芯片,适用于各种需要高速数据访问和低功耗设计的应用场景。其主要特性包括高速访问时间(33ns),支持快速的数据读写操作,能够满足高速缓存和实时数据处理的需求。该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),提高了在不同系统设计中的兼容性和灵活性。
  该SRAM芯片还具备低功耗待机模式,在不需要进行数据读写操作时,可以显著降低功耗,延长设备的续航时间,特别适用于便携式设备和低功耗应用场景。此外,IS49NLC93200-33WBLI 支持数据保持电压低至1.5V,确保在断电或系统进入低功耗模式时仍能保持数据不丢失,提升了系统的稳定性和可靠性。
  其封装形式为TSOP-II,具有较小的封装尺寸和良好的热性能,适用于高密度PCB布局和高温工作环境。工作温度范围为-40°C至+85°C,适合工业级应用。此外,该芯片具备较强的抗干扰能力和稳定性,适用于复杂电磁环境下的工业和通信设备。

应用

IS49NLC93200-33WBLI 广泛应用于需要高速、低功耗存储解决方案的各类电子系统中。常见的应用包括工业控制设备、通信模块、路由器、交换机、嵌入式系统、数据采集设备以及便携式电子产品。由于其低功耗待机模式和数据保持能力,该芯片也非常适合用于电池供电设备和需要长期数据保存的场合。

替代型号

IS49NLC93200-33WBLI 可以被以下型号替代,具体选择应根据系统需求和设计参数进行匹配:IS49NLC93200-35WBLI(访问时间稍慢)、IS49NLC93200-25WBLI(更快的访问时间)、IS49L1616A-35DS(类似容量和功能的SRAM芯片)等。

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IS49NLC93200-33WBLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术RLDRAM 2
  • 存储容量288Mb
  • 存储器组织32M x 9
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率300 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳144-TFBGA
  • 供应商器件封装144-TWBGA(11x18.5)