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IS49NLC36800-25WBL 发布时间 时间:2025/12/28 17:20:20 查看 阅读:29

IS49NLC36800-25WBL 是由 Integrated Silicon Solution (ISSI) 公司生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于高性能、低功耗的SRAM系列,适用于需要高速数据访问和高可靠性的应用场景。

参数

容量:8MB(1M x 8)
  访问时间:25ns
  封装类型:TSOP
  电源电压:3.3V
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:并行异步接口
  读取电流:典型值 180mA
  待机电流:最大 10mA

特性

IS49NLC36800-25WBL 是一款专为高速系统设计的异步SRAM,具备低功耗与高性能的双重优势。其主要特性包括高速访问时间(25ns),适合用于需要快速读写操作的嵌入式系统和通信设备。该器件采用3.3V电源供电,具备宽泛的工作温度范围,适用于工业和汽车电子等严苛环境。封装形式为TSOP,有助于节省PCB空间并提高系统集成度。
  此外,该SRAM芯片具有良好的数据保持能力,在待机模式下功耗极低,非常适合需要节能设计的应用场景。其异步接口支持标准的地址/数据总线操作,兼容多种微控制器和处理器系统架构,从而简化了系统设计和调试过程。
  从可靠性角度看,IS49NLC36800-25WBL采用了ISSI成熟的SRAM制造工艺,确保了在高频率和高温环境下仍能稳定运行。它被广泛应用于网络设备、工业控制、车载系统以及消费类电子产品中。

应用

IS49NLC36800-25WBL 主要用于需要大容量高速缓存的嵌入式系统和数据存储应用。典型应用包括:工业控制设备中的缓冲存储器、网络通信设备(如路由器和交换机)中的数据包缓存、汽车电子系统中的临时数据存储,以及消费类电子产品中需要高速数据处理的场合。

替代型号

IS49NLC36800-25BLL, CY7C1041CV33-25ZSXI, IDT71V416S25PFG

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IS49NLC36800-25WBL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术RLDRAM 2
  • 存储容量288Mb
  • 存储器组织8M x 36
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间15 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳144-TFBGA
  • 供应商器件封装144-TWBGA(11x18.5)