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IS46TR81024BL-125KBLA1 发布时间 时间:2025/12/28 18:17:33 查看 阅读:39

IS46TR81024BL-125KBLA1 是 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款存储器芯片以其高速访问时间、低功耗设计和稳定性著称,广泛应用于需要快速数据访问的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。IS46TR81024BL-125KBLA1 采用先进的CMOS技术制造,确保了在各种工作条件下都能保持稳定的工作性能。

参数

容量:1Mbit
  组织方式:128K x 8
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:12ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54-TSOP
  接口类型:并行异步接口
  最大工作频率:83MHz
  数据保持电压:1.5V
  封装尺寸:54-TSOP
  引脚数:54

特性

IS46TR81024BL-125KBLA1 是一款高性能异步SRAM,其核心特性包括高速访问时间、宽电压工作范围和低功耗设计。该芯片的访问时间仅为12ns,使其适用于需要快速数据读写的应用场景。支持2.3V至3.6V的宽电压范围,使其在不同电源条件下都能稳定运行。此外,该芯片支持数据保持模式,在数据保持电压低至1.5V时仍能保持存储数据,适用于低功耗待机应用。
  IS46TR81024BL-125KBLA1 的工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级温度要求,适合在各种恶劣环境中使用。该芯片采用54-TSOP封装,便于安装和散热,适用于空间受限的PCB设计。其并行异步接口提供了高效的地址和数据访问方式,适合需要高带宽存储的系统应用。

应用

IS46TR81024BL-125KBLA1 适用于多种需要高速存储器的电子设备和系统。典型应用包括工业自动化控制设备、嵌入式系统、网络通信设备、测试测量仪器和医疗设备。由于其高速访问时间和宽工作温度范围,该芯片在需要高可靠性和稳定性的工业环境和通信基础设施中特别受欢迎。同时,低功耗特性也使其适合用于便携式设备和需要节能设计的应用场景。

替代型号

IS46TR81024B-125KBLA1, CY62148EVLL-125BZS, IDT71V416SA125BQGI

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IS46TR81024BL-125KBLA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格136 : ¥201.18272散装
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量8Gb
  • 存储器组织1G x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-TWBGA(10x14)