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IS46TR16640CL-125JBLA1-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:09:37 查看 阅读:23

IS46TR16640CL-125JBLA1-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的CMOS异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用了先进的CMOS技术,具有高速访问时间和低功耗的特点,适用于对性能和功耗有较高要求的应用场景。该SRAM的封装形式为TSOP(薄型小外形封装),适用于工业级和商业级工作温度范围,是一款广泛应用于通信、工业控制、网络设备、消费电子等领域的存储器芯片。

参数

容量:16Mbit(1M x 16)
  组织结构:1M地址 x 16位数据
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间(tRC):125ns
  读取电流(最大):140mA
  待机电流(典型):10mA
  封装类型:TSOP-II
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装尺寸:8mm x 14mm
  封装材料:无铅/符合RoHS标准

特性

IS46TR16640CL-125JBLA1-TR 是一款高性能的异步SRAM芯片,具有出色的稳定性和低功耗特性。该芯片采用了先进的CMOS制造工艺,能够提供高达125ns的访问速度,确保在高速数据存取场景下的性能需求。其1M x 16位的组织结构使得它可以支持16位并行数据处理,适用于需要大容量SRAM缓存的应用,如图像处理、高速缓存、数据缓冲等。
  该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,使其能够兼容多种电源系统,并在低电压条件下仍能保持稳定工作。此外,该SRAM在待机模式下的功耗非常低,典型待机电流仅为10mA,这对于需要长时间运行或电池供电的设备来说是一个重要的优势。
  其TSOP封装形式不仅体积小巧,而且具有良好的热稳定性和电气性能,适合在空间受限的应用中使用。同时,该器件符合RoHS标准,适用于环保要求较高的产品设计。IS46TR16640CL-125JBLA1-TR 提供了多种控制信号(如CE、OE、WE),支持灵活的读写操作模式,可以方便地与各种主控芯片接口连接,例如FPGA、DSP、MCU等。
  在工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)下,该SRAM能够稳定运行,适用于恶劣环境下的工业控制系统、网络设备、测试仪器和嵌入式应用。其高可靠性和广泛的应用兼容性,使得IS46TR16640CL-125JBLA1-TR 成为许多高性能系统的首选存储器解决方案。

应用

IS46TR16640CL-125JBLA1-TR 主要应用于需要高速、大容量SRAM的嵌入式系统、通信设备、工业控制、测试测量仪器、图像处理模块、FPGA/CPLD缓存、数据采集系统、网络路由器和交换机等场景。由于其低功耗、高稳定性以及工业级温度范围的特性,它也广泛用于车载电子、医疗设备和航空航天等对可靠性要求较高的领域。

替代型号

IS46TR16640AL-125JBLA1-TR, IS46TR16640CL-100JBLA1-TR, CY62167EVLL-125BZ, IDT71V1216SA-125B, ISSI IS46R16M16A-125CBLA1-TR

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IS46TR16640CL-125JBLA1-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,500 : ¥27.95583卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)