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IS46TR16640C-125JBLA25 发布时间 时间:2025/12/28 17:43:36 查看 阅读:21

IS46TR16640C-125JBLA25是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于异步SRAM兼容的DRAM系列。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具备高速访问时间、低功耗和高可靠性的特点,适用于需要大容量存储和高性能数据处理的应用场合。该型号的封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于工业级温度范围,适合在严苛的环境中使用。

参数

容量:1M x16
  组织形式:16位宽
  电源电压:3.3V
  访问时间:125MHz(最大)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  数据输出类型:三态输出
  时钟频率:125MHz

特性

IS46TR16640C-125JBLA25是一款高速DRAM芯片,其内部结构采用异步控制方式,与传统的异步SRAM兼容,因此可以在不需要额外的时序控制逻辑的情况下实现对SRAM的替换升级。该芯片支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式,有效降低功耗并延长数据保持时间。此外,该芯片具备高速访问能力,存取时间低至125MHz,适用于需要高速数据处理和缓存的应用场景。由于其16位的数据总线宽度,IS46TR16640C-125JBLA25非常适合用于图像处理、网络设备、工业控制和嵌入式系统等对存储性能有较高要求的领域。
  该芯片还具备较强的温度适应能力,能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作,适用于各种严苛环境下的应用。TSOP封装形式不仅减小了PCB板的空间占用,同时也提高了封装的稳定性和抗干扰能力。此外,该芯片具备三态输出功能,可以有效避免总线冲突,提高系统的稳定性和可靠性。

应用

IS46TR16640C-125JBLA25广泛应用于需要高性能存储解决方案的嵌入式系统、网络通信设备、图像处理设备、工业控制设备、测试仪器以及高速缓存系统等领域。由于其高速访问时间和低功耗特性,该芯片特别适用于需要频繁数据读写和大容量缓存的应用场景,如视频处理模块、通信网关、嵌入式处理器系统以及工业自动化控制系统。

替代型号

IS48C16160A-125BLL、IS48C16160B-125BLL、CY7C1041CV33-125BZXC、IDT71V124SA90PFG

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IS46TR16640C-125JBLA25参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 115°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)