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IS46TR16640B-125JBLA25 发布时间 时间:2025/12/28 18:33:08 查看 阅读:21

IS46TR16640B-125JBLA25 是由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片的存储容量为256Mb(16M x 16位),采用同步动态随机存储器(SDRAM)技术,适用于需要高速数据处理的嵌入式系统和工业控制设备。IS46TR16640B-125JBLA25封装形式为54-pin TSOP,支持自动刷新和自刷新功能,确保在不同工作条件下数据的稳定性和可靠性。

参数

容量:256Mb
  组织结构:16M x 16位
  电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54-pin TSOP
  时钟频率:125MHz
  访问时间:5.4ns
  刷新周期:64ms
  接口类型:同步(SDRAM)

特性

IS46TR16640B-125JBLA25是一款高性能SDRAM芯片,具备多种优良特性。首先,其同步接口设计使得数据的读取和写入操作能够与系统时钟同步,从而提高了系统的整体运行效率。其次,该芯片支持两种刷新模式:自动刷新和自刷新,能够在不中断系统运行的情况下维持数据的完整性,适用于对数据稳定性要求较高的应用场景。
  此外,IS46TR16640B-125JBLA25采用低功耗设计,支持多种低功耗模式,包括待机模式、深度掉电模式等,有助于延长嵌入式设备的电池寿命。其宽电压范围(2.3V至3.6V)也增强了其在不同电源环境下的适应能力。
  在封装方面,该芯片采用54-pin TSOP封装,体积小巧,便于集成到高密度电路板中。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境,能够在严苛条件下稳定运行。

应用

IS46TR16640B-125JBLA25广泛应用于需要高速、低功耗存储解决方案的工业控制设备、通信设备、嵌入式系统和消费电子产品。例如,它可以作为图像处理模块的帧缓存、工业PLC控制器的数据缓存、网络设备的临时存储器,以及便携式医疗设备中的临时数据存储单元。

替代型号

IS48C16160B-6A, CY7C1370B, IDT71V416

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IS46TR16640B-125JBLA25参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 115°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)