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IS46TR16256AL-107MBLA2-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:19:21 查看 阅读:25

IS46TR16256AL-107MBLA2-TR 是由Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有低功耗、高性能和高可靠性的特点,适用于需要快速数据存取的工业控制、通信设备、网络设备、消费电子产品等应用场景。

参数

容量:256K x 16位
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:10ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

该SRAM芯片采用高性能CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问能力。IS46TR16256AL-107MBLA2-TR具备异步接口,适用于需要快速响应和低延迟的应用。该器件具有广泛的电压工作范围(2.3V至3.6V),增强了其在不同供电环境下的适应性。此外,该芯片封装为TSOP,体积小巧,适合高密度电路设计。
  其高可靠性设计确保了在工业级温度范围(-40°C至+85°C)内稳定工作,适用于严苛环境下的应用。IS46TR16256AL-107MBLA2-TR的高速访问时间为10ns,使其适用于需要快速数据读写的应用场景,如缓存、临时数据存储和嵌入式系统中的主存储器。

应用

IS46TR16256AL-107MBLA2-TR广泛应用于工业控制设备、通信模块、网络路由器、测试设备、嵌入式系统以及各种消费电子产品。由于其高速读写性能和低功耗特性,该芯片特别适用于需要快速数据处理和临时数据存储的场合。

替代型号

IS46LPS16256AL-107MBLA2-TR, CY62167VLL-10ZSXI, IDT71V128L10PFG

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IS46TR16256AL-107MBLA2-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织256M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)