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IS46TR16128CL-125KBLA1 发布时间 时间:2025/9/1 10:25:11 查看 阅读:5

IS46TR16128CL-125KBLA1 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于高性能、低功耗的SRAM系列,适用于需要快速数据存取的工业控制、网络设备、通信系统以及嵌入式应用。IS46TR16128CL-125KBLA1 采用异步设计,支持高速读写操作,适用于需要可靠存储和快速响应的场景。

参数

类型:静态随机存取存储器(SRAM)
  容量:2Mbit(128K x 16)
  电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:12ns(最大)
  工作温度:-40°C 至 +85°C(工业级)
  封装:54引脚 TSOP
  接口:异步
  读写操作:支持高速读写
  功耗:低待机电流

特性

IS46TR16128CL-125KBLA1 是一款高性能的16位异步SRAM,具有2Mbit的存储容量,配置为128K地址深度乘以16位宽度。其主要特性包括高速访问时间(最大12ns),适用于对响应时间要求严格的应用场景。该器件采用低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长设备的电池寿命并降低整体功耗。
  该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),使其兼容多种电源管理系统,适用于不同的硬件设计需求。此外,其工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)确保在恶劣环境下依然能够稳定运行。
  封装形式为54引脚TSOP,便于在高密度PCB设计中使用。异步接口设计使得该芯片能够与多种控制器无缝集成,适用于需要灵活存储扩展的嵌入式系统和通信设备。同时,IS46TR16128CL-125KBLA1具有较高的数据保持可靠性和抗干扰能力,确保数据在复杂电磁环境下依然稳定无误。

应用

IS46TR16128CL-125KBLA1 SRAM芯片广泛应用于各种高性能嵌入式系统和工业控制设备中。常见的应用场景包括工业自动化控制、网络路由器和交换机中的高速缓存、通信模块的数据缓冲、测试测量仪器的临时存储,以及车载电子设备中的数据暂存等。由于其高速存取能力和低功耗特性,该芯片也适用于便携式设备和远程监控系统。

替代型号

IS46TR16128CL-125KBLA1 可以被 IS46TR16128CL-100KBLA1(访问时间更短)或 CY62168EVLL-12ZE3(Cypress SRAM型号)替代。此外,也可以考虑使用 ISSI 的 IS46R16128A-125KBLA1(异步SRAM)作为替代方案。

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IS46TR16128CL-125KBLA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格190 : ¥52.33253托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)