IS46R16320E-6BLA2-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用高性能CMOS技术制造,提供低功耗、高速访问和高可靠性,适用于需要快速数据访问和稳定存储的工业和通信应用。
类型:异步SRAM
容量:512K x 16 位(总容量8Mbit)
电源电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:5.4ns(最大)
工作温度:-40°C 至 +85°C(工业级)
封装:132-TQFP
引脚数量:132
封装类型:表面贴装(SMD/SMT)
时序类型:异步
数据宽度:16位
读取电流(典型值):180mA
待机电流(典型值):10mA
IS46R16320E-6BLA2-TR 是一款高性能异步SRAM,采用先进的CMOS工艺制造,具备高速存取和低功耗的特点。该芯片的访问时间仅为5.4ns,适合需要快速响应的系统应用。其宽工作电压范围(2.3V至3.6V)使其能够适应多种电源设计,增强了系统设计的灵活性。
该器件的封装为132-TQFP,适用于空间受限的高密度PCB设计。此外,其支持-40°C至+85°C的工作温度范围,使其能够在工业和车载环境中稳定运行,满足严苛的环境要求。
在功耗方面,IS46R16320E-6BLA2-TR在读取操作时的典型电流为180mA,而在待机模式下电流仅为10mA,有效降低了系统的整体功耗,适用于对能效有较高要求的应用场景。
该SRAM芯片还具备高可靠性和抗干扰能力,适用于数据缓存、网络设备、通信系统、工业控制、测试设备等高性能嵌入式系统。
IS46R16320E-6BLA2-TR 适用于多种需要高速存储和低功耗的电子系统,如工业控制设备、通信基础设施(如交换机、路由器)、测试测量仪器、数据采集系统、汽车电子控制单元(ECU)、嵌入式处理器系统、视频处理设备和高速缓存应用场景。
IS46R16320C-6TLA2-TR, CY62167EVAL45ZSXI, IDT71V416SA10PFGI, IS61WV51216BLL-10BLLI