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IS46R16160F-5TLA1 发布时间 时间:2025/9/1 15:18:33 查看 阅读:8

IS46R16160F-5TLA1 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用先进的CMOS技术制造,具有高速访问时间、低功耗和高可靠性的特点,广泛用于需要快速数据存储和访问的嵌入式系统和工业控制设备中。这款SRAM芯片的容量为1MB(256K x 16位),适合用作缓存或高速数据缓冲。

参数

容量:256K x 16位
  访问时间:5.4ns
  电压供应:2.3V 至 3.6V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行
  封装尺寸:12mm x 20mm

特性

IS46R16160F-5TLA1 SRAM芯片具有多项显著的技术特性,确保其在高性能系统中稳定运行。首先,其高速访问时间为5.4ns,使其适用于需要快速数据读写的应用场景。该芯片支持异步操作,无需时钟信号,简化了与控制器的接口设计。此外,其供电电压范围为2.3V至3.6V,使其兼容多种电源系统,并具备低功耗模式以延长电池寿命。
  在制造工艺方面,该芯片采用了高性能CMOS技术,不仅提高了数据访问速度,还降低了静态电流,从而减少了整体功耗。其TSOP封装设计提供了良好的散热性能和机械稳定性,适用于空间受限的高密度电路板设计。该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级和恶劣环境下的应用。
  IS46R16160F-5TLA1具备高可靠性,符合JEDEC标准,并通过了严格的测试,确保在长时间运行中的稳定性。此外,该芯片支持多种控制信号,包括片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),便于实现灵活的存储器管理。

应用

IS46R16160F-5TLA1 SRAM芯片广泛应用于多个高性能嵌入式系统和工业设备中。由于其高速访问时间和异步接口特性,该芯片常用于网络设备、路由器、工业控制器、通信模块和图像处理系统等场景。在工业自动化设备中,它可作为高速缓存或临时数据存储单元,用于提高数据处理效率。此外,该芯片也适用于需要实时数据交换的嵌入式系统,如医疗仪器、测试设备和汽车电子控制系统。
  该SRAM芯片的低功耗特性使其在便携式设备中同样具有广泛应用,例如手持终端、智能电表和工业监测设备。对于需要在宽温度范围内稳定工作的设备,IS46R16160F-5TLA1的工业级温度规格确保其在恶劣环境中仍能保持高性能运行。

替代型号

IS46R16160B-5TLA1, CY62167VLL-55BZS, IDT71V416S-10PFGI

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IS46R16160F-5TLA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格216 : ¥35.79667管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间700 ps
  • 电压 - 供电2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm)
  • 供应商器件封装66-TSOP II