IS46R16160F-5BLA1-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片,具有16位数据总线宽度和16Mbit的存储容量。这款SRAM适用于需要高性能和低功耗的场合,如网络设备、工业控制系统、通信设备等。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,便于在高密度电路板上安装。
容量:16Mbit
组织结构:1M x 16
电源电压:2.3V 至 3.6V
最大访问时间:5.4ns(在3.3V电压下)
工作温度范围:工业级 -40°C 至 +85°C
封装类型:54-ball BGA
功耗:典型待机电流低于10mA
时钟频率:最高可达166MHz
IS46R16160F-5BLA1-TR SRAM芯片具有多项高性能特性,首先是其高速访问能力,最大访问时间仅为5.4ns,使其适用于对响应时间要求极高的系统应用。其次,该芯片支持宽电压范围供电(2.3V至3.6V),增强了其在不同电源环境下的兼容性。
此外,该SRAM在低功耗设计方面表现出色,在待机模式下电流消耗极低,适合对能耗敏感的应用场景。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保了在恶劣环境下的稳定运行。
该芯片采用54球BGA封装,具有良好的散热性能和空间利用率,非常适合在紧凑型电路板上使用。同时,IS46R16160F-5BLA1-TR具有高可靠性,符合严格的工业和通信标准,可广泛用于路由器、交换机、工业控制器等设备中。
为了提高系统稳定性,该SRAM还具备自动省电模式,能够在无操作时自动降低功耗,延长设备运行时间并减少热量积聚。
IS46R16160F-5BLA1-TR SRAM芯片主要应用于需要高速数据存取和低功耗特性的嵌入式系统和通信设备。典型应用包括网络路由器和交换机中的缓存存储器、工业控制系统的临时数据存储、高性能嵌入式处理器的高速缓存,以及需要实时数据处理的测试测量设备。此外,它也适用于医疗设备、自动化系统和航空航天电子设备等对可靠性和性能有严格要求的领域。
IS46R16160F-5BLI1-TR, CY7C1360F-548BZC, IDT71V124SA-10P, IS61LV12816-10T