时间：2025/9/1 9:26:07
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IS46R16160D-6TLA1 是由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）公司生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于高性能的低功耗SRAM产品系列。该型号SRAM具备16位数据总线和16位地址总线，提供1Mbit的存储容量，适用于需要快速数据访问和稳定性能的工业及通信设备。
容量：1Mbit
组织方式：16位 x 65536
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：TQFP
引脚数：54
数据总线宽度：16位
地址总线宽度：16位
IS46R16160D-6TLA1 是一款采用高性能CMOS工艺制造的异步SRAM芯片，具有较低的功耗和较高的访问速度，适用于对功耗和性能都有较高要求的应用场景。该芯片的访问时间仅为5.4ns，能够满足高速数据读写的需求。其工作电压范围为2.3V至3.6V，使其能够兼容多种电源管理系统。此外，它支持工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
这款SRAM芯片采用了TQFP封装技术，具备良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型电路板设计。其16位宽的数据总线和地址总线设计，使其适用于需要大容量缓存和高速数据处理的应用，如网络设备、工业控制系统和通信模块等。
IS46R16160D-6TLA1 还具备良好的抗干扰能力和稳定性，能够在高噪声环境中保持数据的完整性。此外，该芯片支持异步操作模式，允许与各种类型的控制器进行灵活连接，提高系统的兼容性和扩展性。
IS46R16160D-6TLA1 适用于需要高性能SRAM的工业和通信设备，如嵌入式系统、工业控制模块、通信基站、网络路由器和交换机等。由于其高速访问能力和宽工作温度范围，它也广泛用于汽车电子、医疗设备和测试测量仪器等对可靠性和稳定性要求较高的应用场景。
IS46R16160B-6TLI1, CY62167EV30LL-55B1, IDT71V124SA10PFG
