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IS46LR32160C-6BLA2 发布时间 时间:2025/9/1 9:00:45 查看 阅读:8

IS46LR32160C-6BLA2 是由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用CMOS工艺制造,具有较高的存储密度和稳定性,广泛应用于工业控制、网络设备、通信系统以及消费类电子产品中。这款DRAM芯片的封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),便于在各种PCB设计中使用。IS46LR32160C-6BLA2支持自动刷新和自刷新模式,从而有效降低功耗,延长设备的使用时间。

参数

型号: IS46LR32160C-6BLA2
  容量: 512Mb(32M x 16)
  电压范围: 2.3V - 3.6V
  封装类型: TSOP
  引脚数: 54
  工作温度范围: -40°C ~ +85°C
  最大访问时间: 5.4ns
  最大时钟频率: 166MHz
  数据速率: 166MHz
  刷新周期: 64ms
  组织结构: x16
  封装尺寸: 8mm x 20mm

特性

IS46LR32160C-6BLA2具备多项高性能和低功耗特性,适用于各种嵌入式系统和高性能计算应用。其核心特性包括:
  1. **低功耗设计**:该芯片支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式,使得在不使用时能显著降低功耗,适用于电池供电设备或对能耗敏感的应用场景。
  2. **高速数据访问**:最大访问时间仅为5.4ns,最大时钟频率可达166MHz,提供快速的数据存取能力,适用于需要高吞吐量的系统,如图像处理、高速缓存等应用。
  3. **宽电压范围**:支持2.3V至3.6V的宽电压范围,使其能够在不同供电条件下稳定工作,增强了设计的灵活性和兼容性。
  4. **高可靠性**:该芯片具有高可靠性的CMOS制造工艺,并通过了-40°C至+85°C的工作温度范围认证,适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
  5. **TSOP封装**:采用54引脚TSOP封装,体积小巧且易于布局,适用于空间受限的电路设计,同时提供了良好的电气性能和热稳定性。
  6. **兼容性良好**:该芯片与标准DRAM接口兼容,方便系统集成和升级,降低了硬件设计的复杂性。
  7. **长刷新周期**:64ms的刷新周期可减少刷新操作频率,从而进一步优化系统性能和功耗管理。

应用

IS46LR32160C-6BLA2适用于多种嵌入式系统和高性能计算设备,具体应用包括:
  1. **工业控制系统**:用于工业PLC、HMI(人机界面)设备中,提供大容量高速缓存和数据存储功能。
  2. **网络设备**:应用于路由器、交换机等网络设备中,作为高速数据缓存,提升数据转发效率。
  3. **通信设备**:在无线基站、通信模块等设备中,用于存储临时数据和程序缓存,提高通信性能。
  4. **消费类电子产品**:如智能电视、机顶盒、游戏设备等,提供快速的数据处理能力,增强用户体验。
  5. **车载电子系统**:用于汽车导航、车载娱乐系统中,确保在高温和复杂电磁环境下稳定运行。
  6. **图像处理设备**:如安防摄像头、图像采集系统等,用于存储和处理图像数据,提升图像处理效率。
  7. **手持设备**:适用于手持终端、PDA等设备,凭借其低功耗和小尺寸优势,满足便携式设备的设计需求。

替代型号

IS46L16320B-6TLLB2, IS46L16320B-6TLB2, IS46LR32160B-6BLI2

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IS46LR32160C-6BLA2产品

IS46LR32160C-6BLA2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格240 : ¥99.00213托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织16M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页12ns
  • 访问时间5.5 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-TFBGA(8x13)