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IS46LQ16128A-062TBLA2 发布时间 时间:2025/12/28 18:38:43 查看 阅读:33

IS46LQ16128A-062TBLA2是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的低功耗、高性能的DRAM芯片,属于移动式DRAM(Mobile DRAM)系列,广泛用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑以及嵌入式系统中。该型号采用CMOS工艺制造,具备异步和同步工作模式,支持多种省电模式,以满足不同应用场景对功耗的需求。

参数

容量:256Mb
  组织方式:16位 x 128K
  电压范围:1.7V - 3.6V
  访问时间:62ns(最大)
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  封装引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:约8mm x 14mm
  接口类型:并行异步接口
  最大工作频率:约16MHz(在同步模式下)
  刷新方式:自动刷新/自刷新
  功耗:典型值<10mA(待机模式)

特性

IS46LQ16128A-062TBLA2具备多项高性能和低功耗特性,适合对能效要求较高的移动设备和嵌入式系统使用。其主要特性包括:
  1. **低电压操作**:该芯片支持1.7V至3.6V的宽电压范围,使其能够适应不同电源管理设计,适用于电池供电设备。
  2. **多种省电模式**:支持待机、自动刷新和自刷新等多种低功耗模式,有效延长设备电池寿命。
  3. **高速访问**:在同步模式下可支持高达16MHz的工作频率,访问时间最大为62ns,满足中高速数据存取需求。
  4. **灵活的接口设计**:提供标准的并行异步接口,兼容多种微控制器和处理器接口标准,便于系统集成。
  5. **高可靠性**:采用高质量CMOS工艺制造,确保在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行,适用于严苛环境下的应用。
  6. **小封装设计**:TSOP 54引脚封装体积小巧,适合空间受限的便携式设备设计。
  7. **自动刷新与自刷新技术**:集成自动刷新机制,减少外部控制器负担;同时支持自刷新模式,在待机状态下保持数据完整性,降低功耗。
  8. **多模式操作**:支持异步与同步两种操作模式,提升系统设计的灵活性。

应用

IS46LQ16128A-062TBLA2广泛应用于需要中等容量、低功耗存储的便携式电子产品中,例如:
  ? 智能手机和平板电脑
  ? 可穿戴设备(如智能手表、健康监测设备)
  ? 嵌入式控制系统(如工业控制面板、HMI设备)
  ? 消费类电子产品(如电子书、便携式游戏机)
  ? 医疗仪器与便携式诊断设备
  ? 无线通信模块与物联网设备
  ? 汽车信息娱乐系统与车载导航设备
  由于其低功耗、小体积和宽电压范围,该芯片特别适合用于对电池寿命和空间布局要求较高的设计。

替代型号

IS46LQ16128A-062TBLA1, IS46LQ16128A-062TBLA3, IS46LQ16128A-062TBLA4, IS46LQ16128A-062TBLA5

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IS46LQ16128A-062TBLA2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格136 : ¥96.16868散装
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口LVSTL
  • 时钟频率1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页18ns
  • 访问时间3.5 ns
  • 电压 - 供电1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳200-TFBGA
  • 供应商器件封装200-TFBGA(10x14.5)