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IS46LD32320A-3BPLA1 发布时间 时间:2025/12/28 17:53:28 查看 阅读:25

IS46LD32320A-3BPLA1 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的32Mbit(32兆位)伪静态随机存取存储器(PSRAM)。该器件结合了SRAM接口和DRAM内核的优点,提供了类似SRAM的易用性和较高的存储密度。这款PSRAM适用于需要大容量缓存和高速数据访问的应用场景,例如网络设备、工业控制、图形处理器和通信模块等。

参数

容量:32Mbit
  组织结构:1M x32位
  电源电压:2.3V至3.6V
  工作温度范围:-40°C至+85°C(工业级)
  封装类型:100-TSOP
  访问时间:10ns
  最大时钟频率:166MHz
  I/O接口:32位并行接口
  数据保持电压:2.0V(最小值)
  封装尺寸:14mm x 20mm

特性

IS46LD32320A-3BPLA1 是一款高性能PSRAM,具备以下关键特性:
  1. **高容量与高速性**:该芯片提供32Mbit的存储容量,支持高达166MHz的时钟频率,使得数据访问速度非常快,适合对实时性要求较高的应用。其10ns的访问时间确保了系统在处理大量数据时仍能保持高效运行。
  2. **低功耗设计**:在正常工作模式下,IS46LD32320A-3BPLA1 的功耗较低,同时具备多种低功耗模式,包括自动休眠和待机模式,能够有效延长便携设备的电池寿命。
  3. **兼容SRAM接口**:该芯片使用标准的异步SRAM接口,无需复杂的控制逻辑,简化了与主控芯片(如微处理器或FPGA)之间的连接和通信,降低了系统设计的复杂性。
  4. **宽电压范围**:支持2.3V至3.6V的电源电压范围,使得该芯片能够在多种供电环境下稳定工作,适用于广泛的电子系统。
  5. **可靠性与耐用性**:该器件符合工业级工作温度标准(-40°C至+85°C),可在恶劣环境中可靠运行,适用于工业控制、通信设备和车载系统等应用场景。
  6. **自刷新功能**:内置自刷新机制,确保数据在不需要外部刷新的情况下保持完整,减少了主控芯片的负担,提高了系统的稳定性。
  7. **封装形式**:采用100引脚TSOP封装,具有良好的散热性能和空间利用率,适合高密度PCB设计。

应用

IS46LD32320A-3BPLA1 适用于多种需要大容量、高速缓存的应用场景,包括但不限于:工业自动化控制系统、高速数据采集设备、网络路由器和交换机、图形加速器、嵌入式系统、医疗成像设备、测试与测量仪器以及汽车电子系统等。由于其低功耗、高可靠性和兼容性强的特点,该芯片在需要高性能存储解决方案的嵌入式设备中尤为常见。

替代型号

IS46L16320A-3BLA1

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IS46LD32320A-3BPLA1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织32M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳168-VFBGA
  • 供应商器件封装168-VFBGA(12x12)