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IS46DR81280C-3DBLA1 发布时间 时间:2025/12/28 18:01:41 查看 阅读:29

IS46DR81280C-3DBLA1 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的DRAM芯片。该芯片属于异步DRAM类别,适用于需要高存储密度和快速数据访问的应用场景。IS46DR81280C-3DBLA1 采用CMOS技术制造,提供了良好的稳定性和兼容性,广泛应用于工业设备、嵌入式系统和网络通信设备等领域。

参数

容量:128Mbit
  组织结构:8M x 16
  电压:3.3V
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  最大工作频率:166MHz
  数据保持电压:2.3V

特性

IS46DR81280C-3DBLA1 芯片具有多种关键特性,确保其在复杂环境下仍能稳定运行。首先,其低功耗设计适用于对功耗敏感的嵌入式系统和便携式设备。其次,该芯片的高速访问时间(5.4ns)确保了数据处理的高效性,满足了实时数据传输和存储的需求。此外,该芯片支持自动刷新和自刷新功能,有助于减少外部控制器的负担,提高系统的整体效率。
  IS46DR81280C-3DBLA1 的封装形式为TSOP,具有54个引脚,适用于高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种工业环境。该芯片还具有良好的数据保持能力,在电压低至2.3V时仍能保持数据完整性,增强了系统在异常电源条件下的可靠性。
  另外,该DRAM芯片支持多种刷新模式,包括RAS-only刷新、隐藏刷新和自刷新模式,提供了灵活的控制选项。这些特性使其成为需要高性能和低功耗解决方案的理想选择。

应用

IS46DR81280C-3DBLA1 主要用于需要高性能存储解决方案的工业和嵌入式系统。典型应用包括网络设备、路由器、工业控制设备、医疗设备和通信设备。由于其高速访问时间和低功耗特性,该芯片也非常适合用于图像处理设备和视频存储系统。在需要临时数据存储和高速数据访问的场景中,如高速缓存或数据缓冲器,IS46DR81280C-3DBLA1 能够提供稳定可靠的性能支持。
  此外,该芯片也适用于需要长期稳定运行的设备,如安防监控系统、数据采集系统和自动化测试设备。其宽工作温度范围和良好的数据保持能力使其在恶劣工业环境中也能保持稳定运行。

替代型号

IS48C16A1B4A-6BLI、IS47C16T1B4A-6BLI、IS46DR16320C-3DBLA1

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IS46DR81280C-3DBLA1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间450 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TWBGA(8x10.5)