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IS46DR16640C-3DBLA2-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:27:15 查看 阅读:33

IS46DR16640C-3DBLA2-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的高速、低功耗的DRAM芯片。该芯片属于异步SRAM兼容的DRAM产品,具备较高的存储密度和广泛的应用场景。其封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于需要大容量存储和高性能的嵌入式系统和工业控制设备。

参数

类型:DRAM
  容量:256Mbit
  组织结构:16M x 16
  速度等级:-3D(访问时间最大为3.5ns)
  封装:TSOP-II
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  电压:2.3V至3.6V
  封装引脚数:54
  封装尺寸:54-TSOP
  接口:异步
  最大访问时间:3.5ns
  工作电流:最大为120mA(典型值)
  待机电流:最大为10mA

特性

IS46DR16640C-3DBLA2-TR是一款高性能的DRAM芯片,其主要特性包括高速访问时间、宽电压范围和低功耗设计。该芯片支持异步操作,能够与多种控制器和处理器无缝兼容,适用于各种嵌入式系统和工业应用。
  该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有良好的稳定性和可靠性,适用于高要求的工业环境。其TSOP封装形式有助于提高PCB布局的灵活性,并降低EMI(电磁干扰)的影响。
  此外,该芯片具有较宽的工作温度范围(-40°C至+85°C),适合在严苛的环境下运行。其电压范围为2.3V至3.6V,支持多种电源设计,提高了系统的兼容性和灵活性。
  IS46DR16640C-3DBLA2-TR还具备高速数据读取能力,最大访问时间为3.5ns,能够满足高速缓存、图形存储、数据缓冲等多种高性能存储需求。其低功耗设计在待机模式下电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的使用寿命。

应用

该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业计算机、通信设备、网络路由器、图形处理模块以及需要高速缓存或临时数据存储的场合。由于其高速和低功耗特性,也适用于便携式设备和智能控制终端。

替代型号

IS46DR16640C-3BLA2-TR, IS46DR16640C-3TLA2-TR, CY62167EVS15ZSXE, IDT71V416SA10PFG

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IS46DR16640C-3DBLA2-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥47.22242卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间450 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)