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IS46DR16640C-25DBLA1 发布时间 时间:2025/9/1 9:09:04 查看 阅读:7

IS46DR16640C-25DBLA1 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)芯片。该SRAM芯片采用高速CMOS工艺制造,具备低功耗、高速访问和高可靠性的特点。IS46DR16640C-25DBLA1的容量为16Mbit(2MB),组织结构为1M x 16位,适用于需要高速存储访问的嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备以及高端消费电子产品。

参数

容量:16Mbit
  组织结构:1M x 16
  访问时间:25ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装尺寸:54-TSOP
  最大工作频率:约40MHz
  数据保持电压:2V至3.6V
  输出类型:三态输出
  控制信号:CE(片选)、OE(输出使能)、WE(写使能)

特性

IS46DR16640C-25DBLA1 是一款高性能的异步SRAM芯片,其最显著的特性是其高速访问能力,访问时间仅为25ns,这使得该芯片能够满足对数据读写速度有较高要求的应用场景。此外,该芯片采用CMOS技术,具有较低的功耗特性,非常适合需要节能设计的系统使用。其1M x 16位的组织结构支持16位宽的数据总线,允许每个时钟周期传输大量数据,从而提高了系统的整体性能。
  该SRAM芯片的工作电压为3.3V,支持宽范围的数据保持电压(2V至3.6V),在系统断电或进入低功耗模式时仍能有效保持数据。IS46DR16640C-25DBLA1 采用TSOP封装形式,封装尺寸较小,适合空间受限的应用环境。同时,该芯片支持工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),确保在各种严苛环境条件下都能稳定运行。
  控制信号方面,该芯片提供CE(片选)、OE(输出使能)和WE(写使能)三个主要控制引脚,通过这些控制信号可以实现对存储器的读取、写入和待机模式的控制。其三态输出设计允许将多个存储器或外设连接到同一数据总线上,从而提高系统集成度和灵活性。

应用

IS46DR16640C-25DBLA1 由于其高速、低功耗和大容量的特性,广泛应用于多种嵌入式系统和工业设备中。例如,在工业自动化控制系统中,该SRAM芯片可作为高速缓存或临时数据存储器,用于提高系统响应速度和处理能力。在网络通信设备中,如路由器、交换机和无线基站,IS46DR16640C-25DBLA1 可用于缓存数据包和协议处理,以提高数据传输效率。
  此外,该芯片也适用于需要大量高速数据存取的嵌入式图形处理系统,如工业HMI(人机界面)、智能显示设备等。在消费类电子产品中,如高端数字相机、多媒体播放器和游戏设备,IS46DR16640C-25DBLA1 可用于提升图像处理速度和缓存大量数据。由于其工业级温度范围和高可靠性,该芯片也常用于汽车电子系统、医疗设备和测试测量仪器等对稳定性和耐久性要求较高的领域。

替代型号

IS46LV16640C-25DBLA1
  IS46DR16640B-25DBLA1
  CY62167DV30LL-25ZSXI
  IDT71V128SA100PFG

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IS46DR16640C-25DBLA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格209 : ¥48.54612托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)