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IS46DR16320B-37CBLA1 发布时间 时间:2025/9/1 13:57:16 查看 阅读:6

IS46DR16320B-37CBLA1 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具备高性能和高可靠性的特点,适用于各种需要高速存储的应用场景。IS46DR16320B-37CBLA1 采用 54 引脚的 LLP(Leadless Leadframe Package)封装形式,工作温度范围为商业级(0°C 至 +70°C),适合在广泛的工作环境中使用。

参数

容量:512Kbit
  组织结构:16320 x 16 位
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  最大访问时间:10ns
  最大工作频率:100MHz
  封装类型:54 引脚 LLP
  工作温度范围:0°C 至 +70°C

特性

IS46DR16320B-37CBLA1 SRAM 芯片具有多项先进的技术特性,以满足高性能系统的需求。其核心存储单元采用高稳定性的CMOS设计,能够在2.3V至3.6V的宽电压范围内稳定工作,适用于多种电源管理方案。
  该芯片的最大访问时间为10ns,支持高达100MHz的工作频率,能够提供快速的数据存取能力,适用于需要高吞吐量的系统应用。此外,该器件具有低功耗特性,在高速运行的同时保持较低的能耗,非常适合便携式设备和对功耗敏感的设计。
  在封装方面,IS46DR16320B-37CBLA1 采用54引脚LLP封装,具有较小的体积和良好的热性能,便于在高密度PCB布局中使用。其工作温度范围为商业级0°C至+70°C,适用于大多数工业和消费类电子设备。
  该SRAM芯片还具有优异的抗干扰能力和数据保持稳定性,在复杂电磁环境下也能确保数据的完整性和可靠性。其控制信号设计灵活,支持异步操作模式,能够与多种微处理器和控制器兼容,简化了系统集成的设计难度。
  另外,该芯片内置的片上地址锁存器和双向数据总线结构,使得与外部系统的连接更加简便,降低了外部电路的复杂度。这些特性使得IS46DR16320B-37CBLA1 成为通信设备、工业控制、网络设备、测试仪器等领域的理想选择。

应用

IS46DR16320B-37CBLA1 SRAM 芯片广泛应用于需要高速数据存储和低功耗的电子系统中。其主要应用场景包括通信设备中的数据缓冲、工业控制系统中的临时数据存储、网络设备中的高速缓存、测试仪器中的运行内存,以及嵌入式系统和微控制器系统中的外部存储器扩展等。
  由于其高速访问时间和低功耗特性,该芯片也非常适用于需要频繁读写操作的实时系统。例如,在网络交换机和路由器中,IS46DR16320B-37CBLA1 可用于存储转发数据包的临时缓存;在工业自动化控制系统中,可用于存储实时采集的数据或程序指令;在便携式设备中,可作为高速缓存来提高系统性能,同时保持较低的能耗。
  此外,该芯片也适用于图像处理、音频处理、数据采集等需要大量临时数据存储的应用场合。其灵活的接口设计和稳定的性能,使其能够轻松集成到各种基于微处理器或微控制器的系统中。

替代型号

IS46DR16320B-37CBLA1-BDGI、IS46DR16320B-37CBLA1-EBGI、IS46LV16320B-37CBLA1

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IS46DR16320B-37CBLA1参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 封装Tray
  • 工厂包装数量136