时间：2025/9/1 15:33:25
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IS46DR16160B-25DBLA1-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能、低功耗的异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用先进的CMOS技术制造，提供16位数据总线宽度和16兆位（16Mbit）的存储容量，适用于需要高速数据访问和可靠性能的工业和商业应用。
容量：16Mbit
组织结构：1M x 16
电源电压：3.3V（典型）
访问时间：25ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装引脚数：54
接口类型：并行异步接口
最大工作频率：约33MHz（基于访问时间计算）
IS46DR16160B-25DBLA1-TR 是一款高性能的异步SRAM，具有25ns的快速访问时间，适用于需要高速读写操作的应用场景。该芯片采用低功耗CMOS工艺，在确保高速性能的同时保持较低的功耗水平，特别适合对功耗敏感的设计。
其1M x 16的组织结构使其能够提供16位宽的数据接口，简化了与外部控制器或处理器的连接。此外，该器件具有良好的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定工作。
封装形式为TSOP，具有54个引脚，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和 PCB 设计。该SRAM的工作温度范围为工业级标准（-40°C 至 +85°C），适用于工业自动化、通信设备、医疗仪器等对环境适应性要求较高的系统。
该器件还具备异步控制信号，包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），支持灵活的读写操作模式。此外，其输入输出引脚具备三态缓冲功能，可有效减少总线干扰并提高系统集成度。
IS46DR16160B-25DBLA1-TR 广泛应用于各种需要高速、低延迟存储的系统中，如嵌入式控制器缓存、图形处理缓存、网络设备数据缓冲、工业控制设备中的临时数据存储等。此外，该器件也适用于测试设备、医疗成像系统、通信模块等对数据访问速度和稳定性有较高要求的场景。
在通信领域，它可以作为路由器、交换机或无线基站中的高速缓存单元，提高数据转发效率；在工业控制系统中，该SRAM可用于存储实时采集的数据或程序指令，提升系统响应速度。
由于其宽温工作特性和高可靠性，该器件也常用于航空航天、汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场合。
IS46DR16160B-25HBLA1-TR, IS46DR16160B-25DBL-TR, CY62167DV30BLL-25BVXI
