您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS45S32800D-6TLA1

IS45S32800D-6TLA1 发布时间 时间:2025/9/1 9:06:18 查看 阅读:6

IS45S32800D-6TLA1 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用CMOS技术制造,具有高速访问时间和低功耗的特点,适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和通信设备。该器件的容量为1Mbit(32K x 32),采用54引脚TSOP封装,适用于工业级工作温度范围。

参数

容量:1Mbit
  组织结构:32K x 32
  电压范围:2.3V ~ 3.6V
  访问时间:6ns
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  封装类型:54-TSOP
  接口类型:异步并行接口
  最大工作频率:166MHz
  功耗(典型值):150mA(工作模式)
  待机电流:10mA

特性

IS45S32800D-6TLA1 具有以下主要特性:
  首先,该芯片具备高速访问能力,访问时间仅为6ns,使其适用于对响应时间要求苛刻的高速缓存和实时控制系统。
  其次,该SRAM采用低功耗CMOS工艺,在保持高性能的同时,显著降低了工作电流。在待机模式下,电流消耗仅为10mA,有助于提高系统能效。
  第三,该芯片支持2.3V至3.6V宽电压范围供电,适应多种电源设计环境,并增强了设计的灵活性。
  此外,IS45S32800D-6TLA1 提供了完整的异步并行接口,包括地址线、数据线、读写控制信号(OE、WE、CE),便于与各种主控芯片连接,如FPGA、DSP、微控制器等。
  该芯片采用54引脚TSOP封装,尺寸紧凑,适合高密度PCB布局,并符合工业级温度要求(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境下稳定运行。
  最后,该器件内部集成了地址锁存器和输出缓冲器,提高了系统稳定性和抗干扰能力,适用于通信设备、工业控制、网络设备等高性能应用领域。

应用

IS45S32800D-6TLA1 被广泛应用于多个高性能嵌入式系统领域。在通信设备中,该SRAM芯片常用于高速缓存、数据缓冲器以及协议处理单元,以满足数据快速读写的需求。在工业自动化控制系统中,它可以作为主控芯片的临时数据存储单元,提升系统响应速度和稳定性。此外,该芯片也广泛用于网络设备,如路由器、交换机和无线基站,用于临时存储转发数据包和配置信息。由于其宽电压范围和工业级温度适应性,该器件也适用于安防监控设备、测试仪器、医疗电子设备等对可靠性要求较高的场合。同时,其异步并行接口设计使其易于与FPGA、ARM处理器、DSP等嵌入式平台集成,适合用于图像处理、音频缓存、传感器数据暂存等场景。

替代型号

IS45S32800G-6TLI1, CY7C1380D-5AAXI, IDT71V416S08YG, IS45S32800F-6BLA1

IS45S32800D-6TLA1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IS45S32800D-6TLA1参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度32 bit
  • 封装 / 箱体TSOP-86
  • 存储容量256 Mbit
  • 最大时钟频率166 MHz
  • 访问时间6.5 ns, 5.4 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流180 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Tray
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量108