IS45S32200L-7TLA1是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件广泛应用于需要高速数据存储和访问的场景,如网络设备、通信设备、工业控制系统以及嵌入式系统中。该SRAM芯片具有高速存取时间、低功耗设计和宽工作温度范围等优点,适合在各种严苛环境下稳定工作。
类型:异步SRAM
容量:256K x 32位(总容量为8MB)
电源电压:3.3V(典型值)
最大访问时间:7ns
封装形式:128引脚TQFP
工作温度范围:-40°C至+85°C
数据保持电压:2.0V至3.6V
输入/输出电平:LVTTL兼容
封装尺寸:20mm x 14mm
封装材料:无铅(符合RoHS标准)
IS45S32200L-7TLA1具有多项高性能特性。其最大访问时间仅为7ns,使得该芯片能够在高速系统中提供快速的数据读写能力。该芯片采用低功耗CMOS工艺制造,在保持高性能的同时,降低了功耗,适用于对功耗敏感的应用场景。此外,该SRAM芯片支持LVTTL输入/输出电平,兼容多种数字系统接口标准,便于集成到不同类型的系统中。其128引脚TQFP封装提供了良好的散热性能和机械稳定性,适用于工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境下稳定运行。
该芯片还具有高可靠性和数据保持能力,在电源电压低至2.0V时仍能保持数据完整性,适用于断电或低电压情况下需要维持关键数据的应用。此外,IS45S32200L-7TLA1采用了先进的封装技术,符合RoHS标准,适用于环保要求较高的电子产品设计。
IS45S32200L-7TLA1广泛应用于各类高性能嵌入式系统和工业控制设备中。典型应用包括路由器、交换机、通信基站、测试测量设备、工业自动化控制系统、高精度仪器仪表以及需要高速缓存的微处理器系统。由于其低功耗、高速度和宽温特性,该芯片也常用于汽车电子、医疗设备和航空航天等高可靠性要求的领域。
IS45S32200C-7TLA1, IS45S32400L-7TLL