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IS45S16160G-7CTLA1 发布时间 时间:2025/9/1 9:17:12 查看 阅读:19

IS45S16160G-7CTLA1 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)推出的一款高速、低功耗的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于异步DRAM产品系列。该器件具备16位数据宽度,适用于需要高性能数据存储和快速访问的嵌入式系统和工业设备。IS45S16160G-7CTLA1封装形式为TSOP,便于在各类电子设备中集成。

参数

容量:256Mb
  组织结构:16M x 16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  最大访问时间:7ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

IS45S16160G-7CTLA1 采用高速异步DRAM技术,提供高达7ns的访问速度,满足高速数据缓冲和临时存储的需求。该芯片具有低功耗特性,适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。其宽泛的电源电压范围(2.3V至3.6V)使其在多种供电环境下都能稳定运行,增强了系统的兼容性与灵活性。此外,IS45S16160G-7CTLA1 支持自动刷新和自刷新模式,有助于降低系统功耗并提高数据保持能力。
  该芯片还具备较强的抗干扰能力和稳定性,适用于工业级应用环境。TSOP封装形式不仅节省空间,还有助于提高高频操作下的信号完整性。IS45S16160G-7CTLA1 常用于需要快速数据访问但无需同步时钟控制的系统中,如通信设备、图像处理模块、嵌入式控制器等。

应用

IS45S16160G-7CTLA1 主要应用于需要高速存储和低功耗特性的电子设备,包括工业控制设备、图像采集与处理系统、通信模块、打印机、扫描仪、医疗设备以及车载电子系统等。由于其异步接口设计,特别适合与微控制器、FPGA或ASIC配合使用,作为高速缓存或临时数据存储单元。

替代型号

IS45S16160G-7TLA1, IS45S16800G-7TLA1, CY62167EVLL-70BZE3

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IS45S16160G-7CTLA1参数

  • 制造商ISSI
  • 封装Tray
  • 工厂包装数量240