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IS43TR82560DL-125KBL 发布时间 时间:2025/12/28 17:59:05 查看 阅读:27

IS43TR82560DL-125KBL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有256K x 8位的存储容量,适用于需要快速数据访问和低功耗的应用场景。该器件采用CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗的特点,广泛用于通信设备、工业控制系统、网络设备以及嵌入式系统等领域。

参数

容量:256K x 8位
  访问时间:12ns
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:并行接口
  最大时钟频率:无
  最大工作电流:约180mA

特性

IS43TR82560DL-125KBL 是一款高性能的异步SRAM芯片,具备快速访问时间和低功耗设计。其12ns的访问时间使其适用于高速数据缓存和实时系统应用。芯片采用3.3V电源供电,减少了功耗并提高了稳定性,同时兼容多种数字系统。该器件支持异步控制信号(CE#, OE#, WE#),提供了灵活的读写控制方式。此外,其TSOP封装形式具有较小的封装尺寸,适合空间受限的设计应用。
  该芯片还具备宽温度工作范围(-40°C 至 +85°C),适用于工业环境下的稳定运行。内部存储单元采用CMOS技术,确保了数据的高可靠性和低漏电特性。其并行接口设计允许直接与多种微处理器和控制器连接,简化了系统设计。由于其高性能和灵活性,IS43TR82560DL-125KBL 在需要高速存储和低功耗的嵌入式系统中得到了广泛应用。

应用

IS43TR82560DL-125KBL 适用于多种需要高速存储器的应用场景。常见应用包括工业自动化控制设备、通信模块(如路由器、交换机)、嵌入式系统中的临时数据缓存、视频图像处理系统、医疗设备中的实时数据处理、便携式电子设备中的主存或缓存,以及需要快速数据访问的测试与测量仪器等。该芯片的高可靠性和宽温特性也使其适用于汽车电子系统中的控制单元。

替代型号

IS43TR82560AL-125KBL, CY62148EVLL-12ZE3C, IDT70V28LC12PFGI

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IS43TR82560DL-125KBL产品

IS43TR82560DL-125KBL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格242 : ¥30.25202托盘
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-TWBGA(8x10.5)