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IS43TR82560BL-125KBLI 发布时间 时间:2025/9/1 15:21:55 查看 阅读:6

IS43TR82560BL-125KBLI 是一个高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造。该芯片属于SDRAM(同步动态RAM)类别,具有较大的存储容量和较高的数据传输速率,适用于对性能和功耗有较高要求的应用场景,如网络设备、工业控制系统、嵌入式系统以及高端消费类电子产品。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,支持同步接口,能够在系统时钟的上升沿进行数据读写操作,从而提高数据吞吐能力。

参数

类型:DRAM
  存储容量:256Mbit(32M x 8)
  组织结构:x8
  接口类型:同步
  电源电压:2.3V - 3.6V
  最大访问时间:125MHz
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装引脚数:54-pin
  数据传输速率:125MHz
  工作模式:自动刷新、自刷新、突发模式
  数据宽度:8位
  时钟频率:125MHz

特性

IS43TR82560BL-125KBLI 的主要特性包括低功耗设计、高速数据访问能力以及宽温度范围工作能力。该芯片支持同步接口,能够在系统时钟的控制下实现高效的数据传输,适用于需要高吞吐量的应用场景。此外,IS43TR82560BL-125KBLI 还支持多种低功耗模式,如自动刷新和自刷新模式,可以在不使用时降低功耗,延长设备的续航时间。其2.3V至3.6V的宽电压范围设计,使其能够适应不同的电源管理系统,并提高系统设计的灵活性。
  该芯片采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装技术,体积小巧,适合在空间受限的电路板上使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级应用环境,保证在极端温度条件下仍能稳定工作。IS43TR82560BL-125KBLI 的同步突发模式支持多种突发长度,允许用户根据具体应用需求选择合适的数据访问方式,提高系统的灵活性和效率。
  在系统设计方面,该芯片的接口兼容JEDEC标准,便于与各种控制器进行连接。其内置的模式寄存器可以配置各种操作模式,包括突发长度、CAS延迟、写入模式等,满足不同应用场景下的性能和功能需求。IS43TR82560BL-125KBLI 的设计还考虑了电磁干扰(EMI)的抑制,通过优化的封装和内部布线设计,降低高频操作时的噪声干扰,提高系统的稳定性。

应用

IS43TR82560BL-125KBLI 广泛应用于需要大容量、高速缓存存储的嵌入式系统和工业控制设备。例如,它可用于网络路由器和交换机中的数据缓存,以提高数据转发效率;在视频采集和处理系统中作为帧缓存器,用于临时存储图像数据;在通信模块中用于缓冲数据包,确保数据的稳定传输。此外,该芯片也适用于消费类电子产品,如数字电视、机顶盒、高端打印机和多功能一体机等,提供可靠的数据存储支持。由于其宽温特性和工业级可靠性,也常用于恶劣环境下的自动化控制系统和测试测量设备。

替代型号

IS42S16400F-6T、IS43S16800B-6BL、IS43R82560BL-125KBLI、IS43TR16256A-125KBLI

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IS43TR82560BL-125KBLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-TWBGA(8x10.5)