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IS43TR16640BL-125KBL 发布时间 时间:2025/12/28 18:42:27 查看 阅读:28

IS43TR16640BL-125KBL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能、低功耗的16M x 64位(总共128MB)异步SRAM模块。该芯片采用CMOS技术制造,适用于需要高速数据存取和低功耗的应用场合。该器件封装为TSOP(Thin Small Outline Package),适合嵌入式系统、工业控制、通信设备等应用。IS43TR16640BL-125KBL的工作温度范围通常为工业级(-40°C至+85°C),适用于较为严苛的环境条件。

参数

容量:128MB
  组织结构:16M x 64位
  电压供应:2.3V至3.6V
  访问时间:12ns
  工作温度:-40°C至+85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  接口类型:异步
  读写速度:最大访问速度为12ns
  功耗:典型工作电流约120mA

特性

IS43TR16640BL-125KBL是一款高性能的异步SRAM芯片,具备高速数据访问和低功耗的特性。其访问时间为12ns,能够在高速应用中提供稳定的数据读写能力。该芯片采用CMOS工艺制造,确保了在各种工作条件下的稳定性和可靠性。此外,其工作电压范围为2.3V至3.6V,使其兼容多种电源设计,适用于不同系统平台。TSOP封装设计有助于减小PCB空间占用,同时提高散热性能,适合在空间受限的设计中使用。
  该芯片的工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在各种恶劣环境下稳定运行,例如工业自动化控制、网络设备、嵌入式系统等。另外,IS43TR16640BL-125KBL支持异步操作模式,适用于需要灵活控制的存储器接口设计,允许系统根据需求进行动态控制和调整。
  由于其大容量(128MB)和高速特性,IS43TR16640BL-125KBL可作为高速缓存或主存使用,适用于图形处理、图像存储、数据缓冲等高性能应用。其低待机电流设计也进一步延长了电池供电设备的续航时间。

应用

IS43TR16640BL-125KBL广泛应用于需要大容量、高速存储的系统中,例如嵌入式控制器、工业计算机、网络路由器和交换机、通信模块、医疗设备、测试仪器以及便携式电子产品等。其异步SRAM特性使其特别适用于需要快速数据访问但无需复杂时钟管理的设计。此外,该芯片也可用于图形控制器、视频采集系统和数据缓存模块,提供高速、可靠的数据存储与处理能力。

替代型号

IS43SR16640BL-125KBL, CY62148EVLL, AS7C31026C-12TC, IDT71V416S

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IS43TR16640BL-125KBL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)