时间：2025/9/1 9:59:01
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IS43TR16640BL-107MBLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）制造的高性能、低功耗、16M x 64位的DRAM芯片，属于同步动态随机存取存储器（SDRAM）类别。该芯片采用CMOS技术制造，适用于需要高速数据访问和大容量存储的应用场景。其封装为TSOP（薄型小外形封装），具有良好的热性能和电气性能，适用于工业级和商业级应用。
类型：DRAM
存储容量：16M x 64位
电源电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
封装类型：TSOP
引脚数：54
数据速率：107MHz
数据宽度：64位
访问时间：<5.4ns
刷新周期：64ms
接口类型：并行
IS43TR16640BL-107MBLI是一款高性能的SDRAM芯片，具有出色的存取速度和稳定的工作性能。其107MHz的时钟频率允许在每个时钟周期内进行数据传输，显著提高了数据处理效率。该芯片的64位数据宽度使其适用于需要大量数据吞吐的应用，如网络设备、通信系统、嵌入式系统以及工业控制设备。
该芯片支持自动刷新和自刷新模式，降低了功耗并延长了数据保持时间。其TSOP封装形式不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适合在高密度电路板上使用。此外，IS43TR16640BL-107MBLI具备工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保其在恶劣环境下的稳定运行。
该芯片的高速访问时间和低延迟特性使其非常适合需要快速数据读写的应用，如视频处理、高速缓存和实时数据处理系统。其CMOS制造工艺不仅提高了芯片的可靠性，还降低了静态功耗，使其在低功耗设计中表现出色。
IS43TR16640BL-107MBLI广泛应用于需要高性能存储的嵌入式系统和工业设备中。典型应用包括路由器、交换机、通信基站、工业控制器、视频采集与处理设备、医疗成像系统以及高端消费电子产品。其高速存取能力和宽温工作范围使其特别适合在对可靠性和性能要求较高的工业和通信领域使用。
IS43S16800B-107TL、IS42S16800B-107TL、MT48LC16M16A2B4-107A
