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IS43TR16640BL-107MBLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:35:59 查看 阅读:21

IS43TR16640BL-107MBLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高性能、低功耗的16Mbit(1M x 16)异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用高速CMOS技术制造,具有高速访问时间和低功耗的特点,适用于各种需要快速数据访问和高可靠性的嵌入式系统和工业控制设备。

参数

容量:16Mbit
  组织结构:1M x 16
  电压范围:2.3V - 3.6V
  访问时间(tRC):55ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  封装尺寸:54-ball TSOP
  封装引脚数:54
  接口类型:并行
  工作模式:异步

特性

IS43TR16640BL-107MBLI-TR 是一款高性能的异步SRAM,具有以下显著特性:
  1. **高速访问时间**:该芯片的典型访问时间(tRC)为55ns,能够满足高速数据处理应用的需求,确保系统快速响应。
  2. **低功耗设计**:在待机模式下,芯片的电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的使用时间。
  3. **宽电压范围**:支持2.3V至3.6V的电源电压范围,增强了在不同电源环境下的兼容性和稳定性。
  4. **宽温范围支持**:-40°C至+85°C的工作温度范围,使其适用于工业级环境,包括高温和低温条件下的应用。
  5. **高可靠性**:采用先进的CMOS工艺制造,确保了长期稳定运行和高抗干扰能力。
  6. **兼容性强**:其并行接口设计支持多种主控器的连接,广泛适用于各种嵌入式系统、通信设备和工控系统。

应用

IS43TR16640BL-107MBLI-TR 被广泛应用于多个高性能存储需求的领域。首先,在**工业自动化系统**中,该芯片用于高速缓存和数据存储,确保设备快速响应和稳定运行。其次,在**网络和通信设备**中,例如路由器和交换机,IS43TR16640BL-107MBLI-TR 提供了可靠的数据存储支持,有助于提高通信效率和数据处理速度。此外,该芯片还适用于**测试测量设备**,在需要快速采集和处理数据的测试仪器中表现出色。最后,在**汽车电子系统**中,其宽温范围和高可靠性使其成为车载控制模块和驾驶辅助系统的理想选择。

替代型号

IS42S16400J-6T, CY62167VLL-55B6, IS43SR16640B-107TBLL

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IS43TR16640BL-107MBLI-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)