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IS43TR16512BL-107MBL 发布时间 时间:2025/8/1 23:42:53 查看 阅读:34

IS43TR16512BL-107MBL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造的高性能、低功耗、同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。该型号属于移动SDRAM(mSDRAM)类别,专为便携式和低功耗应用设计,例如智能手机、平板电脑、嵌入式系统等。该芯片具有16M x 16位的存储容量,总共256Mb(兆位)的存储空间,适用于需要高数据吞吐量和低功耗的设备。

参数

容量:256Mb
  组织方式:16M x 16位
  电源电压:2.3V - 3.6V(通常为3.3V)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  接口类型:同步DRAM接口
  时钟频率:最高可达107MHz(根据后缀-107MBL)
  访问时间:最快可达5.4ns
  功耗:典型工作电流根据频率和模式不同变化

特性

IS43TR16512BL-107MBL具备多项高性能和低功耗特性。首先,该器件支持自动刷新和自刷新模式,确保数据在不频繁访问时仍然保持完整,同时降低功耗。其次,它支持突发访问模式,可提高数据传输效率,减少访问延迟。此外,该芯片采用同步接口,支持高速数据传输,并可与主控制器(如微处理器或FPGA)实现精确的时序控制。其低功耗特性尤其适合电池供电设备,在待机或休眠模式下可显著减少能耗。TSOP封装形式提供了良好的散热性能和较小的PCB占用空间,适用于紧凑型设计。
  另外,该芯片具备较强的温度适应性,可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作,适用于各种严苛环境。同时,该芯片具备良好的电气兼容性,支持多种主控设备接口,可广泛用于嵌入式系统、工业控制设备和消费类电子产品。

应用

IS43TR16512BL-107MBL主要应用于对存储容量和功耗有较高要求的嵌入式系统和便携式电子设备。例如,它可用于智能手机、平板电脑、GPS导航设备、工业控制模块、通信设备、医疗电子设备以及智能穿戴设备。由于其支持低功耗模式和自动刷新功能,因此非常适合用于需要长时间运行并依赖电池供电的应用场景。

替代型号

IS48C16160B4-6A、IS42S16100E-6BL、IS43S16100-6T、IS43TR16256B-107KBL

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IS43TR16512BL-107MBL参数

  • 现有数量389现货
  • 价格1 : ¥202.48000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量8Gb
  • 存储器组织512M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(10x14)