时间：2025/8/2 1:56:33
阅读：19
IS43TR16128C-107MBLI 是由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造的一款高速异步SRAM（静态随机存取存储器）芯片。该芯片具有16位的数据总线宽度和128K的存储容量，广泛应用于需要快速数据访问和高可靠性的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和网络设备中。这款SRAM芯片采用了低功耗设计，适合需要节能和高效能的场合。
类型：异步SRAM
容量：128K x 16位
电压：2.3V 至 3.6V（标准版本）
访问时间：10 ns（最大）
封装：54引脚TSOP
工作温度：-40°C 至 +85°C
数据保持电压：2.0V（最小）
封装尺寸：18.4mm x 20.0mm
最大工作频率：100 MHz
数据输入/输出：16位并行
IS43TR16128C-107MBLI 是一款高性能的异步SRAM芯片，具备快速访问时间和低功耗的特点。其访问时间仅为10ns，确保了高速数据读写能力，适用于要求严格的实时数据处理环境。芯片的电压范围为2.3V至3.6V，提供了较大的灵活性，能够在不同的电源条件下稳定工作。此外，该芯片还支持低至2.0V的数据保持电压，即使在低功耗模式下也能保持数据完整性，非常适合需要长时间运行的嵌入式系统和便携式设备。
IS43TR16128C-107MBLI 采用了54引脚TSOP封装，这种封装形式具有良好的散热性能和较小的体积，适合高密度PCB设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够适应各种恶劣的工业环境。芯片内部集成了先进的CMOS技术，确保了器件的高可靠性和长寿命。同时，其16位并行数据总线支持高速数据传输，满足了对数据吞吐量有较高要求的应用场景。
该SRAM芯片还具备较强的抗干扰能力和稳定性，适用于工业控制、通信设备、医疗仪器以及车载系统等关键应用。由于其无需刷新的特性，SRAM相较于DRAM在数据存储方面更加稳定和可靠，因此IS43TR16128C-107MBLI 成为了许多高性能嵌入式系统的首选存储器件。
IS43TR16128C-107MBLI 主要应用于需要高速数据存取和高可靠性的电子系统中。常见的应用包括工业自动化控制设备、网络通信设备（如路由器和交换机）、嵌入式系统（如智能仪表和数据采集设备）、医疗仪器、测试测量设备以及车载电子控制系统。由于其低功耗特性和宽温度范围适应性，也广泛用于便携式设备和恶劣环境下的现场应用。
IS42S16100C-107TLI, CY7C1041BV33-10ZSXI, IDT71V128SA10PI
